【摘要】本发明涉及一种推拉窗固定盖板。它包括左轨(1)和右轨(2)，所述左轨(1)包括左支撑(1.1)、左一横杆(1.3)和左二横杆(1.4)，所述左一横杆(1.2)的中部向上设置有左螺钉孔(1.3)，所述右轨(2)包括右支撑(2.1)和右
【摘要】 本发明涉及场中止型绝缘栅型双极晶体管及其制造方法。该方法依次具备下述步骤：形成缓冲层的步骤，在晶片正面形成N＋缓冲层；形成N型器件层的步骤，在所述N＋型缓冲层上通过外延生长而形成N型器件层；形成IGBT结构的步骤，在所述N型器件层上形成IGBT的正面结构；以及形成集电极的步骤，在所述晶片背面形成集电极。根据本发明的场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法，不需要薄片的工艺设备就能够制造超薄型的场中止型绝缘栅型双极晶体管，具有工艺简单、效率高、成本低的优点，而且利用本发明的方法制造出的场中止型绝缘栅型双极晶体管具有更低的导通压降和应用温度。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210270774.7 【申请日】2012-08-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103578983A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L21/331; H01L29/739 【发明人】邓小社; 王根毅; 芮强; 吴芃芃 【主权项内容】一种场中止型绝缘栅型双极晶体管的制造方法，其特征在于，依次具备下述步骤：形成缓冲层的步骤，在晶片正面形成N＋缓冲层；形成N型器件层的步骤，在所述N＋型缓冲层上通过外延生长而形成N型器件层；形成IGBT结构的步骤，在所述N型器件层上形成IGBT的正面结构；以及形成集电极的步骤，在所述晶片背面形成集电极。 【当前权利人】无锡华润上华半导体有限公司 【当前专利权人地址】无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J 【引证次数】7.0 【被引证次数】1 【他引次数】7.0 【被自引次数】1.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】1
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