【摘要】 一种抗闩锁N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有N型漏区，在P型体区中设有N型源区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在N型源区和P型体接触区表面设有浅P型阱区，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在场氧化层、P型体接触区、N型源区、多晶硅栅和N型漏区的表面设有钝化层，其特征在于，在浅P型阱区正下方还设有与其共用一块光刻板但采用高能量离子注入形成的深P型阱区，该区域有效地减小了体区的导通电阻，提高器件的电流能力的同时，降低了工作过程中发生闩锁的风险。 【专利类型】发明授权 【申请人】东南大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210223901.8 【申请日】2012-06-30 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102769038B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102769038B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06 【发明人】刘斯扬; 王昊; 叶楚楚; 钱钦松; 孙伟锋; 陆生礼; 时龙兴 【主权项内容】一种抗闩锁N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：N型衬底(1)，在N型衬底(1)上设有埋氧(2)，在埋氧(2)上设有N型外延层(3)，在N型外延层(3)的内部设有N型缓冲阱(4)和P型体区(16)，在N型缓冲阱(4)内设有N型漏区(5)，在P型体区(16)中设有N型源区(15)和P型体接触区(14)，在N型外延层(3)的表面设有栅氧化层(11)和场氧化层(8)且栅氧化层(11)的一端和场氧化层(8)的一端相抵，所述栅氧化层(11)的另一端向N型源区(15)延伸并止于N型源区(15)，所述场氧化层(8)的另一端向N型漏区(5)延伸并止于N型漏区(5)，在N型源区(15)和P型体接触区(14)表面设有浅P型阱区(13)，且浅P型阱区(13)延伸至栅氧化层(11)下方，在栅氧化层(11)的表面设有多晶硅栅(10)且多晶硅栅(10)延伸至场氧化层(8)的上表面，在场氧化层(8)、P型体接触区(14)、N型源区(15)、多晶硅栅(10)和N型漏区(5)的表面设有钝化层(7)，在N型漏区(5)表面连接有第一金属层(6)，在多晶硅栅(10)的表面连接有第二金属层(9)，在P型体接触区(14)和N型源区(15)表面连接有第三金属层(12)，其特征在于，在浅P型阱区(13)正下方还设有深P型阱区(17)，所述深P型阱区(17)位于P型体区(16)内，且位于N型源区(15)和P型体接触区(14)下方，所述N型源区(15)和P型体接触区(14)位于深P型阱区(17)外部，且与深P型阱区(17)之间由P型体区(16)一部分所隔离，所述深P型阱区(17)与浅P型阱区(13)在器件底部的投影完全重合。 【当前权利人】东南大学 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道99号 【统一社会信用代码】12100000466006770Q 【引证次数】2.0 【自引次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】3

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