【摘要】 一种三模式集成绝缘栅型双极晶体管(即TI-IGBT)包括：第一半导体衬底，第一半导体衬底内形成有并列设置的短路区和集电区，短路区与集电区的掺杂类型不同；第二半导体衬底，第二半导体衬底位于第一半导体衬底的上表面，且第二半导体衬底与短路区的掺杂类型相同；第一掺杂层，第一掺杂层位于第一半导体衬底与第二半导体衬底之间，且至少覆盖集电区；其中，第一掺杂层的掺杂类型与第二半导体衬底的掺杂类型相同，且掺杂浓度小于第二半导体衬底的掺杂浓度，从而增加了集电区上方的电阻，使得本发明所提供的TI-IGBT，以更小的电流进入IGBT模式，解决现有技术中TI-IGBT工作时的电流回跳现象。 【专利类型】发明申请 【申请人】江苏物联网研究发展中心; 中国科学院微电子研究所; 江苏中科君芯科技有限公司 【申请人类型】企业,科研单位 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210519798.1 【申请日】2012-12-06 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103855155A 【公开公告日】2014-06-11 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L27/06; H01L29/06; H01L21/8249 【发明人】朱阳军; 张文亮; 卢烁今; 田晓丽; 胡爱斌 【主权项内容】1.一种三模式集成绝缘栅型双极晶体管，其特征在于，包括：第一半导体衬底，所述第一半导体衬底内形成有并列设置的短路区和集电区，所述短路区与集电区的掺杂类型不同；第二半导体衬底，所述第二半导体衬底位于所述第一半导体衬底的上表面，且所述第二半导体衬底与所述短路区的掺杂类型相同；第一掺杂层，所述第一掺杂层位于所述第一半导体衬底与所述第二半导体衬底之间，且至少覆盖所述第一半导体衬底内的集电区；其中，所述第一掺杂层的掺杂类型与所述第二半导体衬底的掺杂类型相同，且掺杂浓度小于所述第二半导体衬底的掺杂浓度。 【当前权利人】江苏物联网研究发展中心; 中国科学院微电子研究所; 江苏中科君芯科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座; 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所; 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D2-501 【专利权人类型】; ; 有限责任公司(非自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】1232020046637256X7; 12100000400834434U; 91320213585596419Y 【被引证次数】8 【被自引次数】4.0 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】8

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