【摘要】 本发明涉及一种电容式MEMS传感器的检测电路，其包括用于与第一待测电容、第二待测电容相连后形成的谐振单元，所述谐振单元通过频率检测单元与差频电路相连，频率检测单元的输出端分别与第一待测电容的第一可动极板、第二待测电容的第二可动极板相连；第一待测电容、第二待测电容对应连接形成与谐振单元，谐振单元内能产生谐振频率，并能对谐振衰减的能量补偿；频率检测单元根据谐振单元输出的谐振频率驱动差频电路输出对应的频率信号。本发明采用有源电路补偿储能器件能量损耗，采用静电反馈机制构成闭环系统稳定输出频率，抗干扰能力增强，结构简单易于单片集成，结构紧凑，测量精度高，抗干扰能力强，克服能量损耗，便于单片集成，稳定可靠。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏物联网研究发展中心 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210329954.8 【申请日】2012-09-07 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102854399B 【公开公告日】2014-07-23 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102854399B 【授权公告日】2014-07-23 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G01R27/26 【发明人】孟如男; 王玮冰 【主权项内容】一种电容式MEMS传感器的检测电路，其特征是：包括用于与第一待测电容(C1)、第二待测电容(C2)相连后形成的谐振单元，所述谐振单元通过频率检测单元与差频电路相连，频率检测单元的输出端分别与第一待测电容(C1)的第一可动极板(M1)、第二待测电容(C2)的第二可动极板(M2)相连；第一待测电容(C1)、第二待测电容(C2)对应连接形成与谐振单元，谐振单元内能产生谐振频率，并能对谐振衰减的能量补偿；频率检测单元根据谐振单元输出的谐振频率驱动差频电路输出对应的频率信号；所述谐振单元包括由所述第一待测电容(C1)、第二待测电容(C2)的两端均并联有选频电感(L0)以形成的选频网络及有源电路(1)。 【当前权利人】中科芯未来微电子科技成都有限公司 【当前专利权人地址】四川省成都市双流区东升街道成都芯谷产业园区(1号楼)集中区内 【统一社会信用代码】1232020046637256X7 【引证次数】6.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】7

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1790323816.html