【摘要】 本发明涉及一种实现肖特基二极管的双极集成电路结构的制造方法及双极集成电路结构。属于半导体技术领域。本发明的方法中，利用准等平面工艺形成所述外延层内的N阱、基区和P-层；并通过一次蚀刻形成肖特基接触孔；最后蒸发铝，以在肖特基接触孔内形成硅化合物肖特基势垒层。从而保证该工艺无需额外的肖特基接触光刻，也无需采用钛、铂和钯等贵金属，同时保持由钛、铂和钯等贵金属形成的肖特基势垒所具有的稳定性和重复性，与通用的双极集成电路生产工艺兼容，且有效简化了工艺流程，降低了生产成本，且本发明的实现肖特基二极管的双极集成电路结构的制造方法及双极集成电路结构的应用范围也较为广泛。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润矽科微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214000 江苏省无锡市菱湖大道180号-22 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210369046.1 【申请日】2012-09-27 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103700590A 【公开公告日】2014-04-02 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103700590B 【授权公告日】2016-11-23 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01L21/331; H01L29/73 【发明人】陈冠峰; 张骁宇; 卜慧琴 【主权项内容】一种实现肖特基二极管功能的双极集成电路结构的制造方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：(1)生成衬底、衬底内的N埋层和P埋层、衬底上的外延层以及外延层内的上隔离层和深磷层；(2)利用准等平面工艺形成所述外延层内的N阱、基区和P-层，并退火；(3)通过预淀积和再扩散生成深磷层上的发射区；(4)通过一次蚀刻形成位于所述的基区内的肖特基接触孔；(5)蒸发铝，在所述的肖特基接触孔内形成硅化合物肖特基势垒层。 【当前权利人】华润微集成电路(无锡)有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡太湖国际科技园菱湖大道180号-6 【引证次数】3.0 【被引证次数】3 【他引次数】3.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】3

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