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半导体器件中氧化层的形成方法专利

时间:2026-09-25    作者:admin 点击: ( 2 ) 次

【摘要】 本发明涉及一种半导体器件中氧化层的形成方法,包括下列步骤:在晶圆的有源区上形成氧化层;在所述氧化层上涂覆光刻胶,并进行曝光、显影处理后形成光刻胶阻挡层;以所述光刻胶阻挡层为掩膜,向所述有源区内进行离子注入;使用氢氟酸溶液对所述氧化层进行蚀刻。本发明采用稀氢氟酸溶液对氧化层进行蚀刻,由于稀氢氟酸溶液对硅的腐蚀速率较小,因此蚀刻过后不易在氧化层下的离子注入区域产生硅孔缺陷,提高了产品的良率。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210193672.X 【申请日】2012-06-12 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103489774A 【公开公告日】2014-01-01 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103489774B 【授权公告日】2017-05-31 【授权公告年份】2017.0 【IPC分类号】H01L21/311; H01L21/8247 【发明人】陈亚威; 屈亚东 【主权项内容】一种半导体器件中氧化层的形成方法,包括下列步骤:在晶圆的有源区上形成氧化层;在所述氧化层上涂覆光刻胶,并进行曝光、显影处理后形成光刻胶阻挡层;以所述光刻胶阻挡层为掩膜,向所述有源区内进行离子注入;使用氢氟酸溶液对所述氧化层进行蚀刻。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214739444443B 【引证次数】5.0 【被引证次数】1 【他引次数】5.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】1

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