【摘要】 本发明提供一种恒流充电模式下的充电管理电路，其包括输出电路和控制电路，所述输出电路包括连接于电源和中间节点之间的第一功率开关、连接于中间节点和地之间的第二功率开关、连接于中间节点和输出电路的输出端之间的电感，连接于输出电路的输出端和地之间的电容；所述控制电路用于检测所述电感的电感电流，当所述电感电流大于第一电流阈值时，控制第一功率开关关断和第二功率开关导通，当所述电感电流小于第二电流阈值时，控制第一功率开关导通和第二功率开关关断，其中第一电流阈值大于第二电流阈值。从而将充电管理电路输出的平均电流IA调整到某个设定值，其电路结构较简单，可以节省芯片面积，降低芯片的成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】无锡中星微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市新区太湖国际科技园清源路530大厦A区10层 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210391652.3 【申请日】2012-10-16 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102904305B 【公开公告日】2014-09-17 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102904305B 【授权公告日】2014-09-17 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H02J7/00; H02M3/158 【发明人】王钊 【主权项内容】一种恒流充电模式下的充电管理电路，其特征在于，其包括输出电路和控制电路，所述输出电路包括连接于电源和中间节点之间的第一功率开关、连接于中间节点和地之间的第二功率开关、连接于中间节点和输出电路的输出端之间的电感，连接于输出电路的输出端和地之间的电容；所述控制电路用于检测所述电感的电感电流，当所述电感电流大于第一电流阈值时，控制第一功率开关关断和第二功率开关导通，当所述电感电流小于第二电流阈值时，控制第一功率开关导通和第二功率开关关断，其中第一电流阈值大于第二电流阈值，所述控制电路包括第一电流阈值确定电路和第二电流阈值确定电路，所述第一功率开关为第一PMOS晶体管，所述第二功率开关为第一NMOS晶体管，所述第一电流阈值确定电路包括第二PMOS晶体管和第一基准电流产生电路，所述第二PMOS晶体管的栅极与第一PMOS晶体管的栅极相连，源极与电源相连，漏极与第一基准电流产生电路产生的下拉型基准电流相连，所述下拉型基准电流驱动第二PMOS晶体管的漏极，从第二PMOS晶体管的漏极流向地节点，所述第一PMOS晶体管相对第二PMOS晶体管的宽长比之比为第一比值，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管同时导通或者关断，第一电流阈值等于所述下拉型基准电流的电流值与所述第一比值的乘积；所述第二电流阈值确定电路包括第二NMOS晶体管和第二基准电流产生电路，所述第二NMOS晶体管的栅极与第一NMOS晶体管的栅极相连，源极与所述中间节点相连，漏极与第二基准电流产生电路产生的注入型基准电流相连，所述注入型基准电流驱动第二NMOS晶体管的漏极，从电源节点流向第二NMOS晶体管的漏极，第一NMOS晶体管相对第二NMOS晶体管的宽长比之比为第二比值，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管同时导通或者关断，第二电流阈值等于所述注入型基准电流的电流值与所述第二比值的乘积，所述第一比较电路的第一输入端与所述第二PMOS晶体管的漏极相连，第二输入端与所述中间节点相连，输出端输出第一比较信号，其仅在第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管导通且所述中间节点的电压低于所述第二PMOS晶体管的漏极的电压时，输出的第一比较信号为第一逻辑电平，第一比较信号为第一逻辑电平信号代表的是电感电流大于第一电流阈值，其他情况时输出的第一比较信号为第二逻辑电平；所述第二比较电路的第一输入端与第二NMOS晶体管的漏极相连，第二输入端与地节点相连，输出端输出第二比较信号，其仅在第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管导通，且所述第二NMOS晶体管的漏极的电压高于地节点的电压时，输出的第二比较信号为第一逻辑电平，第二比较信号为第一逻辑电平信号代表的是电感电流小于第二电流阈值，其他情况时输出的第二比较信号为第二逻辑电平。 【当前权利人】无锡中感微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡新区太湖国际科技园清源路530大厦A区10层 【专利权人类型】股份有限公司(非上市) 【统一社会信用代码】913202006925820711 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】11

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