【摘要】 本发明涉及一种半导体整流桥的制备方法，依次包括如下工序：将放有下框架的下焊接舟放置在点胶机上；使用点胶机在下框架的凸点和平台分别点涂上焊接粘连剂；使用固晶机的吸嘴直接将整流芯片中将正极向上的整流芯片放置在下框架平台上，负极向上的整流芯片放置在下框架凸点上；采用两种整流芯片常温下同时固晶；利用点胶机在固好晶的整流芯片上涂上焊接粘连剂；将上框架对准下框架放置，再将上焊接舟盖在下焊接舟上合模；将合模的焊接舟放入焊接炉焊接；最后取出焊接后为一个整体的具有整流芯片的上、下框架，通过模压机浇注整流桥环氧树脂，形成半导体整流桥。本发明制备方法制造半导体整流桥废品率低，提高了产品质量，合格率高。 【专利类型】发明授权 【申请人】常州银河世纪微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】江苏省常州市新北区长江北路19号 【申请人地区】中国 【申请人城市】常州市 【申请人区县】新北区 【申请号】CN201210155483.3 【申请日】2012-05-18 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102651326B 【公开公告日】2014-10-15 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102651326B 【授权公告日】2014-10-15 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/60 【发明人】刘军; 唐永洪 【主权项内容】一种半导体整流桥的制备方法，其特征在于：所述半导体整流桥包括粘结为整体的上框架、下框架和整流芯片，所述上框架和下框架均设有凸点和平台，所述整流芯片粘结在上框架和下框架之间，其制备方法依次包括如下工序：①将下框架放置在下焊接舟上；②将放有下框架的下焊接舟放置在点胶机上；③使用点胶机在下框架的凸点和平台分别点涂上焊接粘连剂；④将装有点好焊接粘连剂的下框架的下焊接舟，放入固晶机的料盒，固晶机推动料盒将焊接舟推入固晶位，所述固晶机设有吸嘴摆臂，使用固晶机设有的吸嘴摆臂直接将放置在芯片环处的整流芯片中正极向上的整流芯片吸起，放置在下框架平台上，负极向上的整流芯片，取出并放置在下框架凸点上，采用两种整流芯片常温下同时固晶，一种正极向上，一种为负极向上，将正极向上的整流芯片固晶在下框架平台上，将负极向上的整流芯片固晶在下框架凸点上；⑤将固好晶的整流芯片、下框架及下焊接舟从固晶机的料盒中取出，放置在点胶机上，在整流芯片上涂上焊接粘连剂；⑥从点胶机上取出下焊接舟，将上框架对准下框架放置完好，再将上焊接舟盖在下焊接舟上，合模完毕；⑦将合模的焊接舟放入焊接炉，控制温度在330℃～360℃，时间为20～60秒，使整流芯片与上、下框架形成欧姆接触，使整流芯片粘结在上框架和下框架之间；⑧取出焊接后为一个整体的具有整流芯片的上、下框架，再通过模压机浇注整流桥环氧树脂，最终形成半导体整流桥。 ： 【当前权利人】常州银河世纪微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省常州市新北区长江北路19号 【专利权人类型】有限责任公司(中外合资) 【统一社会信用代码】91320411793325883H 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】7

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