【摘要】 本发明公开了一种新型二极管器件结构；本发明的二极管器件结构由沟道和漂移区构成；当二极管器件接反向偏压时，沟道两边的掺杂区形成的夹断势垒和肖特基势垒共同阻断反向电流；当二极管器件接正向偏压时，沟道内的势垒和肖特基势垒被同时降低，允许电流通过，可调的沟道参数和肖特基势垒高度实现了相对低的开启电压；本发明适用于所有半导体材料的垂直结构二极管器件。 【专利类型】发明申请 【申请人】杭州恩能科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310027 浙江省杭州市文三路199号创业大厦1105室恩能科技有限公司 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210259572.2 【申请日】2012-07-24 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103579365A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/861; H01L29/06 【发明人】王珏; 何敏 【主权项内容】一种新型二极管器件结构，其特征在于：包括：沟道，由邻近的相应类型的掺杂区构成，同时形成所需的势垒高度，并通过肖特基接触形成二极管一端；漂移区，由半导体材料构成，与沟道相连，并通过衬底和欧姆接触获得二极管另一端。 【当前权利人】杭州恩能科技有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市文三路199号创业大厦1105室恩能科技有限公司 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】91330108580282787D 【引证次数】4.0 【被引证次数】4 【他引次数】4.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】4

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