【摘要】 本发明涉及一种半导体器件的金属层结构、制造方法及其应用其的一种半导体器件，包括：位于晶片之上的第一导电层，所述第一导电层包括一组分离的第一导电子层，所述一组第一导电子层具有n种不同的电极性，n≥2；在所述第一导电层上的第一隔离层，所述第一隔离层具有一组第一通孔，以选择性的将所述第一导电子层的部分上表面裸露；在所述第一隔离层上的第二导电层，所述第二导电层包括一组分离的第二导电子层，所述第二导电子层通过所述第一通孔与极性相同的所述第一导电子层的裸露的上表面连接；在所述第二导电层和所述第一隔离层上的第二隔离层，所述第二隔离层具有一组第二通孔，以选择性的将所述第二导电子层的部分上表面裸露；位于所述第二通孔处的凸块层，以将所述n种不同的电极性引出。 【专利类型】发明授权 【申请人】矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310012 浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210009879.7 【申请日】2012-01-13 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102543717B 【公开公告日】2014-03-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102543717B 【授权公告日】2014-03-12 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/3205; H01L21/60; H01L23/485 【发明人】游步东 【主权项内容】一种半导体器件，其特征在于，包括第一金属层结构和第二金属层结构，所述第一金属层结构具有漏极电极性，所述第二金属层结构具有源极电极性；所述第一金属层结构包括位于晶片之上的第一导电层；所述第二金属层结构包括位于晶片之上的另一第一导电层；所述第一金属层结构中的第一导电层和所述第二金属层结构中的第一导电层呈矩形形状，并且，互相间隔，两者相邻的区域为互补的弯折形状；所述第一金属层结构中的第一导电层中，相互分离的一组第一导电子层的电极性为漏极，所述矩形形状的剩余区域的电极性为源极；所述第二金属层结构中的第一导电层中，相互分离的一组第一导电子层的电极性为源极，剩余区域的电极性为漏极；所述第一金属层结构和所述第二金属层结构均还包括，在所述第一导电层上的第一隔离层，所述第一隔离层具有一组第一通孔，以选择性的将所述第一导电子层的部分上表面裸露；在所述第一隔离层上的第二导电层，所述第二导电层通过所述第一通孔与极性相同的所述第一导电子层的裸露的上表面连接；其中，所述第一金属层结构中的第二导电层的突出区域通过所述第一通孔与第二金属层结构中的具有漏极电极性的第一导电子层电性连接；所述第二金属层结构中的第二导电层的突出区域通过所述第一通孔与第一金属层结构中的具有源极电极性的第一导电子层电性连接；在所述第二导电层和所述第一隔离层上的第二隔离层，所述第二隔离层具有一组第二通孔，以选择性的将所述第二导电子层的部分上表面裸露，所述第二通孔在多个所述第一通孔的正上方；位于所述第二通孔处的凸块层；通过所述第一金属层结构中的凸块层将漏极电极性向外引出，通过所述第一金属层结构中的凸块层将源极电极性向外引出。 【当前权利人】矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91330100673960735E 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0

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