【摘要】 本发明公开了一种基于半导体纳米线的可调谐波长的微纳激光方法。它是将激光入射到纳米线的一端，利用弯曲至折断的方法得到不同长度的半导体纳米线，在不改变入射激光位置的条件下可以在不同长度的纳米线另一端得到对应不同波长的出射激光，这样通过调节半导体纳米线的长度控制其出射激光中心波长。本发明通过调节纳米线的长度有效地控制输出的激光的波长，易于控制和调节，通过优化纳米线的直径，长度等来控制输出激光的特性。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210394665.6 【申请日】2012-10-17 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102882126B 【公开公告日】2014-06-25 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102882126B 【授权公告日】2014-06-25 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01S5/30 【发明人】杨青; 李佳蓓; 孟超; 杨萌兮 【主权项内容】1.一种基于半导体纳米线的可调谐波长的微纳激光方法，其特征在于：将激光入射到纳米线的一端，利用弯曲至折断的方法得到不同长度的半导体纳米线，在不改变入射激光位置的条件下可以在不同长度的纳米线另一端得到对应不同波长的出射激光，这样通过调节半导体纳米线的长度控制其出射激光中心波长；方法的具体步骤如下：1)利用vapor-liquid-solid的方法生长CdSe半导体纳米线，通过控制温度为700～830摄氏度、气压460～510 mbar、通入气流速度180～220 ml/min、加热时间1～2小时得到特性良好的纳米线；2)采用水平放置的玻璃管，在玻璃管的正中间放置原材料CdSe粉末，以使得粉末蒸发为蒸汽状态，玻璃管的端口处放置镀金的硅片，蒸发的CdSe蒸汽就在此处沉积为纳米线以及纳米带，纳米线直径均为200 nm～2 μm；3)采用532 nm的激光装置在线的一端激发纳米线，得到的激光在另一端通过100倍放大率的物镜接收，连接传输到CCD和光谱仪，得到对应的即时光谱图像，同时，在光学显微镜下和通过CCD传输分别得到图像，利用加热融化拉伸的方法处理微纳光纤，得到圆锥形顶端的探针，在光学显微镜下，利用此探针操纵纳米线，将单根纳米线一端弯曲以达到折断变短的效果，这样得到的纳米线两端平整而形成谐振腔，在纳米线的一端收集到荧光和激光光谱，通过origin软件处理输出的光谱图像测得峰值、半高宽、各对应的波长，从而做出阈值曲线，分析荧光光谱中测得的数据得到PL性质和中心波长随纳米线长度变化的规律，随着纳米线长度从289 μm减小到8 μm，测得的对应的激光的峰值波长逐渐蓝移了40 nm，从而实现可调谐波长的微纳激光。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】1

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