【摘要】 本发明公开了一种开关电容全数字混频器和抗混叠滤波器的电路，它利用开关电容对电流/电压进行采样并通过电荷分享实现数字滤波器的功能，可以通过若干位的高低电平动态地调整滤波器参数，可以实现对基于此原理的数字滤波器相频特性的优化，也可以降低使用开关电容滤波器导致的电压损失，提高整个电路的增益。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路388号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210141605.3 【申请日】2012-05-09 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102647154B 【公开公告日】2014-12-03 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102647154B 【授权公告日】2014-12-03 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H03D7/12; H03H9/46 【发明人】多尔泰; 虞小鹏; 潘赟 【主权项内容】一种开关电容全数字混频器和抗混叠滤波器的电路，其特征在于，整个电路由完全相同的两个混频和抗混叠滤波电路以伪差分方式构成；其中，每个混频和抗混叠滤波电路包括：m个历史电容Ch1-Chm、2nk个旋转电容Cr1-Cr2nk、i个缓存电容Cb1-Cbi和4n+3+m+2nk+i个MOS管M1-M4n+3、Mh1-Mhm、Mr1-Mr2nk、MOS管Mb1-Mbi；所有MOS管的源极均与其衬底相连；每个电容均并联一个MOS管，输入电流源与MOS管M1的漏极相连，MOS管M1的源极与历史电容Ch1一端、MOS管M2、MOS管M4、MOS管M6、……、MOS管M4n的漏极相连，m个历史电容依次串联后接地；MOS管M2、MOS管M4、MOS管M6、……、MOS管M4n的源极分别依次串联k个旋转电容后接地，MOS管M2、MOS管M4、MOS管M6、……、MOS管M4n的源极分别与MOS管M3、MOS管M5、MOS管M7、……、MOS管M4n+1的源极相连；MOS管M3、MOS管M5、MOS管M7、……、MOS管M4n+1的漏极依次相连后分别与MOS管M4n+2和MOS管M4n+3的漏极相连，MOS管M4n+2的源极接地，MOS管M4n+3的源极依次串联i个缓存电容后接地。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区余杭塘路388号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0

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