【摘要】 本发明公开了一种对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法，包括步骤：提取标准单元的位置信息；对标准单元位置进行排序；判断相邻的标准单元是否存在间距；若存在间距，则在该相邻的两个标准单元相对的边界处分别插入冗余多晶硅条阵列；若不存在间距，则该相邻的两个标准单元的边界间共享地插入冗余多晶硅条阵列；以及，对插入冗余多晶硅条阵列后的版图进行版图设计规则和版图与原理图的一致性检查。本发明的方法基于现有的ASIC设计流程，对已完成设计的版图进行优化，不需要修改标准单元库，因此操作简单且与现有ASIC设计流程相兼容；本发明方法仅对现有版图进行微调，不影响版图的LVS和DRC检查，也不会增加版图面积。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210116937.6 【申请日】2012-04-19 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102664142B 【公开公告日】2014-10-22 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102664142B 【授权公告日】2014-10-22 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/00; G06F17/50 【发明人】韩晓霞 【主权项内容】一种对现有版图填充冗余多晶硅条阵列的插入方法，其特征在于，包括步骤：(1)提取标准单元的位置信息；所述的标准单元的位置信息即标准单元在版图中的相对位置坐标X和Y；(2)基于提取的位置信息，对标准单元位置进行排序；(3)判断相邻的标准单元是否存在间距；(4)若存在间距，则在该相邻的两个标准单元相对的边界处分别插入冗余多晶硅条阵列；若不存在间距，则该相邻的两个标准单元的边界间共享地插入冗余多晶硅条阵列；所述冗余多晶硅条阵列的硅条宽度大体为版图设计规则所要求的多晶硅最小线宽的十分之一，所述冗余多晶硅条阵列的硅条的间距大体为冗余多晶硅条阵列的硅条宽度，所述冗余多晶硅条阵列的插入位置应满足版图设计规则要求的多晶硅与有源区的最小间距；(5)对插入冗余多晶硅条阵列后的版图进行版图设计规则和版图与原理图的一致性检查。 数据由整理 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】6

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