【摘要】 本发明公开了一种基于多孔道均流的瞬态电压抑制器，包括P+衬底层和P-外延层；第一外延区与P+衬底层之间设有N+埋层，第二外延区上设有N+有源注入区；第一外延区上嵌有N阱，N阱上设有P+有源注入区；P+有源注入区通过金属电极与N+有源注入区相连；N阱与铺设于第一外延区上的N+有源注入层相连；N+有源注入层通过若干内填有N型材料的孔道与N+埋层相连。本发明通过采用多孔道均流技术，将ESD电流均匀引至齐纳结，使得齐纳结收集到的电流密度大体相同，避免了由于电流密度不同导致齐纳结局部失效的现象，有效增大结面积的利用效率，同时降低了导通电阻，提高钳位特性，从而增强器件的抗ESD能力。。微信 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210052003.0 【申请日】2012-03-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102593155B 【公开公告日】2014-03-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102593155B 【授权公告日】2014-03-12 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/06; H01L27/02 【发明人】董树荣; 吴健; 韩成功; 黄丽; 苗萌; 曾杰; 马飞; 郑剑锋 【主权项内容】一种基于多孔道均流的瞬态电压抑制器，包括P+衬底层(1)；所述的P+衬底层(1)上设有P-外延层(2)，P+衬底层(1)底部设有接地电极(9)；所述的P-外延层(2)通过外隔离环(42)和内隔离环(41)被分割成两块区域：位于内隔离环(41)内的第一外延区(21)和位于外隔离环(42)与内隔离环(41)之间的第二外延区(22)；所述的第一外延区(21)与P+衬底层(1)之间设有N+埋层(11)，所述的第二外延区(22)上设有四个N+有源注入区(6)；其特征在于：所述的第一外延区(21)上嵌有四个N阱(3)，每个N阱(3)上设有一个P+有源注入区(7)；四个P+有源注入区(7)通过四个金属电极(8)分别与四个N+有源注入区(6)相连；所述的N阱(3)与铺设于第一外延区(21)上的N+有源注入层(5)相连；所述的N+有源注入层(5)通过若干内填有N型材料的孔道(10)与N+埋层(11)相连。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【引证次数】4.0 【自引次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】8

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