【摘要】本发明提出一种肖特基MOS半导体装,将肖特基势垒结代替传统MOS器件的源区和体区,通过栅极偏压在漂移区形成高浓度的载流子区域,形成器件的沟道;同时本发明将电荷补偿结构引入到肖特基MOS结构中。本发明还提供一种肖特基MOS半导体装置的
【摘要】 本发明公开了一种低压成套开关设备及其控制方法,设备包括变压器、控制器和若干个断路器,控制器的测量模块连接在变压器的输出端上;变压器的输入端连接电源母线,输出端连接若干条重要等级各不相同的出线;每一条出线上都串接有一个断路器,断路器还包括一个控制端,控制器的驱动单元分别与各断路器的控制端连接。控制器通过测量模块监控变压器输出电路中的电流值大小,当发现电流值大于整定值并持续一定时间以后发送控制信号使当前状态下没有断路的出线中重要等级最小的出线的断路器断开,如果电流值仍旧超过整定值则继续断开重要等级较低的断路器。这样可以使重要负荷尽量保持在工作状态。本发明适用于所有的低压电路。 【专利类型】发明授权 【申请人】杭州钱江电气集团股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】311243 浙江省杭州市萧山区坎山镇工业园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】萧山区 【申请号】CN201210242104.4 【申请日】2012-07-13 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102790360B 【公开公告日】2014-12-24 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102790360B 【授权公告日】2014-12-24 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H02B1/22; H02H7/22 【发明人】吴伟亮 【主权项内容】一种低压成套开关设备的控制方法,包括变压器、控制器和若干个断路器,所述控制器包括依次连接的测量模块、处理器单元和驱动单元,所述处理器单元还连接有存储单元,所述测量模块连接在变压器的输出端上;所述变压器的输入端连接电源母线,输出端连接若干条重要等级各不相同的出线;每一条出线上都串接有一个断路器,所述断路器还包括一个可以控制断路器主触点在断开和闭合两个状态之间切换的控制端,所述控制器的驱动单元分别与各断路器的控制端连接;所述母线与变压器的输入端之间依次串联有二位置负荷开关、插入式熔断器和后备式熔断器;所述变压器的输出端还连接有电容补偿装置,所述电容补偿装置包括依次连接的电容补偿断路器、测量互感器、熔断器、切换电容器接触器、热继电器和自愈式低电压并联电容器;还包括电压表和电流表,所述电压表和电流表的测量端连接在变压器的输出端上;还包括若干个避雷器,二位置负荷开关的输入端和变压器的输出端上都连接有避雷器,所述电容补偿装置中的测量互感器和熔断器的连接点上也连接有避雷器;还包括报警单元,所述报警单元与所述控制器连接;其特征在于,包括以下步骤:步骤一、给每条出线分配不同的重要等级,并将重要等级和对应的出线中的断路器编号存储在控制器中;步骤二、控制器通过测量模块监控变压器输出电路中的电流值大小,当发现电流值大于整定值并持续一定时间以后,跳转步骤三;步骤三、控制器通过驱动单元发送控制信号使当前状态下没有断路的出线中重要等级最小的出线的断路器断开,并跳转步骤四;步骤四、继续监控变压器输出电路的电流值大小,如果电流值仍旧超过整定值,则跳转步骤三,如果电流值正常,则跳转步骤二。 【当前权利人】杭州钱江电气集团股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市萧山区坎山镇工业园区 【专利权人类型】其他股份有限公司(非上市) 【统一社会信用代码】91330000255691712F 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】7
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