【摘要】 本发明公开了一种防金属离子污染的硅片烘干炉及硅片烘干方法，烘干炉包括炉体、设在炉体内的加热装置、硅片传送装置和控制单元，炉体内壁为石英板，加热装置包括石英管远红外加热灯，硅片传送装置包括多条硅片平置轨道和相应传送机构，传送机构为往复式步进机构，炉膛内还充满保护气体，本发明的烘干炉内所有与硅片接触部位均采用石英材料制成，避免了硅片与金属零件的接触，往复式步进传送机构，解决了普通链式金属网带易产生金属离子污染或采用树脂网带在高温下老化快的难题，而在烘干过程中，硅片始终处于高纯氮气的保护中，提高了硅片的烘干质量。 【专利类型】发明授权 【申请人】杭州大和热磁电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310053 浙江省杭州市滨江区滨康路777号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】滨江区 【申请号】CN201210217835.3 【申请日】2012-06-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102809270B 【公开公告日】2014-11-05 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102809270B 【授权公告日】2014-11-05 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】F26B15/12; F26B21/00; F26B25/02; F26B3/30; H01L31/18 【发明人】金重玄; 戴明; 毛金华; 吴洪联; 夏高生 【主权项内容】一种防金属离子污染的硅片烘干炉，用于太阳能电池硅片(1)的烘干作业，所述烘干炉设在框架(2)上，其特征在于：包括炉体(3)、设在炉体内的加热装置、硅片传送装置和控制单元，其中炉体，包括内壁板(4)和炉外板(5)，内壁板和炉外板之间空腔形成隔热层(6)，所述内壁板为石英板，在炉体两侧设有硅片进口(7)和硅片出口(8)，在炉体顶部设有保护气体进气口(9)和排气口(10)，在炉体底部设有与硅片传送机构相对应的开口；加热装置，包括若干外壁为石英管的远红外加热灯(11)；传送装置，包括若干平行排列的硅片平置轨道和相应的硅片传送机构，每个所述硅片平置轨道包括设在炉内的两根平行且等高的石英放置条(12)和分别设在炉体硅片进口和硅片出口且处在所述石英放置条延伸线上的若干石英放置块(13)，石英放置条的顶面与石英放置块的顶面等高形成水平的硅片放置面，两根石英放置条之间的间距与硅片的宽度相吻合，硅片传送机构为往复式步进机构，包括水平的石英传送杆(14)、水平气缸(15)、升降气缸(16)和水平导轨(17)，所述水平导轨和水平气缸设在所述框架(2)上，水平导轨与所述硅片平置轨道平行，水平导轨上设有可沿水平导轨滑动的可调支架(18)，水平气缸的活塞杆与所述支架连接，所述升降气缸分别设在支架的两端，升降气缸的活塞杆分别与所述石英传送杆的两端部连接，石英传送杆可通过升降气缸的作用垂直升降，石英传送杆设在所述石英放置条之间，石英传送杆的长度大于炉体的长度，上升时石英传送杆的杆身上表面高于石英放置条的顶面高度，下降时石英传送杆的杆身处在石英放置条顶面的下方；控制单元连接硅片传送机构各气缸、加热装置红外灯和保护气体流量控制装置，监测并控制硅片传送速度、烘干加热功率、保护气体流量和风帘气体流量。 【当前权利人】杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市滨江区滨康路668号C幢 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91330100609165024Q 【引证次数】10.0 【自引次数】1.0 【他引次数】9.0 【家族引证次数】13.0 【家族被引证次数】7

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1791524249.html