【摘要】 本发明公开了一种真空镀膜装置、真空镀膜控制系统及控制方法，真空镀膜装置包括真空腔体、真空泵和低温泵，真空腔体的顶部设有伞架，伞架上放置待镀膜的基片，真空腔体内设有e型电子枪，e型电子枪上设有排列成圈并可沿圆心转动的坩埚，坩埚内放有镀膜材料，在坩埚加热位的上方设有挡板，低温泵与真空腔体的连接管上设有插板阀，本发明在电子枪的电子束流轨迹控制中采用分区控制原理，在各区间分别控制X轴扫描线圈和Y轴扫描线圈的电流频率，继而控制电子束流在镀膜材料表面各区块的扫描时间，解决了氧化物材料蒸发不均匀产生的深坑现象，有效防止坩埚损坏或基片报废。 【专利类型】发明授权 【申请人】杭州大和热磁电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310053 浙江省杭州市滨江区滨康路777号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】滨江区 【申请号】CN201210164106.6 【申请日】2012-05-21 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102787299B 【公开公告日】2014-09-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102787299B 【授权公告日】2014-09-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C23C14/30; C23C14/54 【发明人】刘黎明; 陈军; 关永卿; 洪婧; 陈虹飞; 田俊杰; 汪文忠; 邓凤林; 郑栋; 将卫金; 赵山泉 【主权项内容】一种真空镀膜装置，包括真空腔体(1)、与真空腔体连接的真空泵(2)和低温泵(3)，所述真空腔体的顶部设有伞架(4)，所述伞架上放置待镀膜的基片(5)，在真空腔体的下部设有e型电子枪(6)，在电子枪内设有坩埚(7)，所述坩埚内放有镀膜材料，真空腔体上设有观察窗(8)，其特征在于：所述e型电子枪内设有排列成一圆圈并可沿圆心转动的坩埚位，所述坩埚设在坩埚位上，所述坩埚位包括一个加热位(9)和若干个存放位(10)，所述坩埚加热位的上方设有挡板(11)，所述挡板为活动式，所述低温泵与真空腔体的连接管上设有插板阀(12)，在真空腔体的中部设有修正板(13)，修正板设在所述坩埚加热位的正上方并处于所述挡板与所述伞架之间。。： 【当前权利人】杭州大和热磁电子有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市滨江区滨康路777号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91330100609165024Q 【引证次数】4.0 【被引证次数】2 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】30

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