【摘要】本发明公开了一种高强度大塑性块体非晶磁性合金及其制备方法，该非晶合金的分子式为FexCoyNizNbaBbCuc，其中0≤x≤54，14≤y≤67，0≤z≤34，5≤a≤8，25≤b≤30，0≤c≤1，并且x+y+z+a+b+c＝1
【摘要】 本发明提供一种溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法，包括以下步骤：S11，制备CsI溶液，所述CsI溶液的浓度为5wt％至50wt％；S12，制备SnCl2溶液，所述SnCl2溶液的浓度为10wt％至80wt％；S13，将所述CsI溶液和所述SnCl2溶液混合，制备三碘化铯锡溶液；S14，将所述三碘化铯锡溶液滴涂到所述基底上；S15，加热所述基底至干燥，在所述基底上形成三碘化铯锡薄膜。本发明滴涂法制备三碘化铯锡(CsSnI3)薄膜的方法，在玻璃、陶瓷和金属箔等大面积基底上合成薄膜，不需要基于真空手段就能合成CsSnI3薄膜的方法，可显著降低成本，使这种薄膜作为新的太阳能电池吸收材料将得到广泛的应用。 【专利类型】发明申请 【申请人】浙江尚颉光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】311121 浙江省杭州市余杭区五常街道丰岭路25号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】余杭区 【申请号】CN201210382413.1 【申请日】2012-10-09 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103708534A 【公开公告日】2014-04-09 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103708534B 【授权公告日】2015-11-18 【授权公告年份】2015.0 【IPC分类号】C01G19/00; C03C17/22; C04B41/85 【发明人】沈凯; 陈琢; 任宇航 【主权项内容】1.一种溶液法制备三碘化铯锡薄膜的方法，其特征在于，包括：S11，制备CsI溶液，所述CsI溶液的浓度为5wt％至50wt％；S12，制备SnCl2溶液，所述SnCl2溶液的浓度为10wt％至80wt％；S13，将所述CsI溶液和所述SnCl2溶液混合，制备三碘化铯锡溶液；S14，将所述三碘化铯锡溶液滴涂到所述基底上；S15，加热所述基底至干燥，在所述基底上形成三碘化铯锡薄膜。。 【当前权利人】尚越光电科技股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市余杭区五常街道余杭塘路1999号尚越绿谷中心1幢603室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】91330000552868596Q 【引证次数】4.0 【被引证次数】5 【他引次数】4.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】5
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