【摘要】 本发明公开了一种用于全光器件的Ge-Sb-Se非晶薄膜的制备方法，特点是采用纯度为5N的高纯圆块状GexSbySe1-x-y玻璃作为靶材，采用磁控溅射装置，以高纯氩气为溅射工作气体，采用石英片或硅片为衬底材料，包括在靶材背面贴合铜片的步骤；将衬底材料放入浓硫酸与双氧水的混合溶液中预处理并轰击衬底材料表面3分钟，对衬底材料进行等离子体清洗的步骤；控制溅射腔室内的氩气工作气压为0.05Pa-3Pa，调节射频功率20W-60W，预溅射10分钟的步骤；最后溅射沉积2-3小时制得Ge-Sb-Se非晶薄膜的步骤，优点是工艺可控性强，生产成本低，重复性好，非晶薄膜组分偏差小、附着强度高、膜质均匀致密。 【专利类型】发明授权 【申请人】宁波大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】315211 浙江省宁波市江北区风华路818号 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】江北区 【申请号】CN201210065051.3 【申请日】2012-03-13 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102605334B 【公开公告日】2014-01-01 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102605334B 【授权公告日】2014-01-01 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C23C14/35; C23C14/06 【发明人】徐铁峰; 陈昱; 沈祥; 戴世勋; 王训四; 陈芬; 张巍; 李军; 王国祥; 杨燕 【主权项内容】一种用于全光器件的1e-Sb-Se非晶薄膜的制备方法，其特征在于：采用纯度为5N的高纯圆块状GexSbySe1-x-y(其中0

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