【摘要】 本发明公开了一种产生参考电流的CMOS电路。该电路包括参数相同的第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第五PMOS管(P5)，参数相同的第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)、第五NMOS管(N5)、第六NMOS管(N6)，电阻(R)。本发明的有益效果是：产生的参考电流较稳定，切与集成电路中的其他数字电路器件工艺兼容，不用增加额外工艺，切占用芯片面积较小，降低成本。。 【专利类型】发明申请 【申请人】郑州单点科技软件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【申请人地区】中国 【申请人城市】郑州市 【申请人区县】管城回族区 【申请号】CN201210338018.3 【申请日】2012-09-13 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103677035A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】G05F1/56 【发明人】周晓东; 桑园; 吴勇 【主权项内容】一种产生参考电流的CMOS电路，其特征在于，该电路包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第五PMOS管(P5)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)、第五NMOS管(N5)、第六NMOS管(N6)和电阻(R)；所述第一PMOS管(P1)的源极接电压源(VDD)，栅极接地，漏极与第一NMOS管(N1)的栅极和第二NMOS管(N2)的漏极连接；第二PMOS管(P2)的源极通过电阻(R)连接电压源(VDD)，栅极与第四PMOS管(P4)的栅极和漏极、第五PMOS管(P5)的漏极、第一NMOS管(N1)的漏极连接，漏极与第三PMOS管(P3)的源极连接；第三PMOS管(P3)的栅极与第五PMOS管(P5)的栅极和漏极、第五NMOS管(N5)的漏极连接，漏极与第三NMOS管(N3)的漏极和栅极、第五NMOS管(N5)的栅极连接；第四PMOS管(P4)的源极与电压源(VDD)连接；所述第一NMOS管(N1)的源极接地；第二NMOS管(N2)的源极接地，栅极与第三NMOS管(N3)的源极、第四NMOS管(N4)的栅极和漏极、第六NMOS管(N6)的栅极连接；第四NMOS管(N4)的源极接地；第六NMOS管(N6)的源极接地，漏极连接第五NMOS管(N5)的源极。 【当前权利人】郑州单点科技软件有限公司 【当前专利权人地址】河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】914101007967915487

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