【摘要】 本发明公开了一种单片集成信号接收电路。该电路包括P型的第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)，N型的第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)，第一电阻(R1)，第二电阻(R2)和反相器。本新型的电路的等效上来说，输出电压使其符合前侧端信号的转态电压，消除盲区，克服已知技术的缺点。 【专利类型】发明申请 【申请人】郑州单点科技软件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【申请人地区】中国 【申请人城市】郑州市 【申请人区县】管城回族区 【申请号】CN201210340966.0 【申请日】2012-09-16 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103684416A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H03K19/094 【发明人】余力; 王纪云 【主权项内容】一种单片集成信号接收电路，其特征在于，包括P型的第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)，N型的第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)，第一电阻(R1)，第二电阻(R2)和反相器；所述第一MOS管(M1)的栅极、源极、漏极分别连接信号接收端(Spd)和第二MOS管(M2)的源极、工作电压(VCC)、第三MOS管(M3)的栅极及第二MOS管(M2)的漏极；第二MOS管(M2)的栅极、源极、漏极分别连接工作电压(VCC)、第一MOS管(M1)的栅极和信号接收端(Spd)、第一MOS管(M1)的漏极和第三MOS管(M3)的栅极；第三MOS管(M3)的栅极、源极、漏极分别连接第一MOS管(M1)的漏极和第二MOS管(M2)的漏极、第四MOS管(M4)的源极和第五MOS管(M5)的栅极、第四MOS管(M4)的漏极和信号接收端(Spd)；第四MOS管(M4)的栅极、源极、漏极分别连接工作电压(VCC)、第三MOS管(M3)的源极和第五MOS管(M5)的栅极、第三MOS管(M3)的漏极和信号接收端(Spd)；第五MOS管(M5)的栅极、源极、漏极分别连接第三MOS管(M3)的源极和第四MOS管(M4)的源极、一端接地(GND)的第二电阻(R2)的另一端、工作电压(VCC)；第一电阻(R1)串接于第五MOS管(M5)的栅极与地(GND)之间；反相器的输入端连接第五MOS管(M5)的源极，输出端连接信号输出端(Si)。 【当前权利人】郑州单点科技软件有限公司 【当前专利权人地址】河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】914101007967915487

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