【摘要】一种挤塑装置，由微型处理器、挤塑模块、保护层挤压模块、空腔体组成，空腔体上下方向设有锥形模孔，与此对应，保护层挤压模块、挤塑模块、微型处理器外形为相互配合的带台阶锥形，同时上述三模块中心分别设置保护层挤塑腔、绝缘层挤塑腔、芯线孔，依
【摘要】 本发明公开了一种过压保护电路。该电路包括参考电压输入端和电压输出端，还包括差分放大器、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、反相器、电感和电容；所述电压输出端连接至差分放大器的负极输入端，并通过电感连接至第一NMOS晶体管的源极和第二NMOS晶体管的漏极；第一NMOS晶体管的漏极连接至电压源，栅极连接至反相器的输出端；第二NMOS晶体管的源极接地，并通过电容连接至电压输出端；差分放大器的正极输入端连接至参考电压输入端，输出端连接至反相器的输入端和第二NMOS晶体管的栅极。本发明的有益效果是：电路结构简单，所需器件和节点较少，减小成本和功耗，减少坏点风险。 【专利类型】发明申请 【申请人】郑州单点科技软件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】450016 河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【申请人地区】中国 【申请人城市】郑州市 【申请人区县】管城回族区 【申请号】CN201210370656.3 【申请日】2012-09-29 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103715676A 【公开公告日】2014-04-09 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H02H9/04 【发明人】王晓娟; 王纪云; 周晓东 【主权项内容】一种过压保护电路，包括参考电压输入端(Vref)和电压输出端(Vout)，其特征在于，还包括差分放大器(IC1)、第一NMOS晶体管(Q1)、第二NMOS晶体管(Q2)、反相器(F)、电感(L)和电容(C)；所述电压输出端(Vout)连接至差分放大器(IC1)的负极输入端，并通过电感(L)连接至第一NMOS晶体管(Q1)的源极和第二NMOS晶体管(Q2)的漏极；第一NMOS晶体管(Q1)的漏极连接至电压源(VDD)，栅极连接至反相器(F)的输出端；第二NMOS晶体管(Q2)的源极接地(GND)，并通过电容(C)连接至电压输出端(Vout)；差分放大器(IC1)的正极输入端连接至参考电压输入端(Vref)，输出端连接至反相器(F)的输入端和第二NMOS晶体管(Q2)的栅极。 【当前权利人】郑州单点科技软件有限公司 【当前专利权人地址】河南省郑州市经济技术开发区第八大街信息产业园1228室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】914101007967915487
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