【摘要】本发明涉及一种密封应力和密封件压缩位移量在一定范围内恒定的恒应力恒位移线密封组件,包括法兰、设置在法兰面之间且与法兰面线接触的密封环,以及设置在密封环内侧和或外侧的限位机构,且限位机构的厚度<所述密封环的厚度;该密封环包括内部填充层
【摘要】 本发明公开了一种空间光调制器的驱动电路结构,它包括由下而上依次布置的一块片选芯片、多块数据寄存及数模转换芯片和一块驱动芯片,所述数据寄存及数模装换芯片内集成有多个间隔分布的数模转换器,且每个数模转换器附近均布置有与之紧邻的数据存储单元,每个数模转换器与驱动芯片之间、以及每个数据存储单元与所述片选芯片之间均通过穿透硅通孔电性连接。该驱动电路结构具有极高的集成度,能支撑大量高速信号传输。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号 【申请人地区】中国 【申请人城市】苏州市 【申请号】CN201210135947.4 【申请日】2012-05-04 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102646385B 【公开公告日】2014-10-08 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102646385B 【授权公告日】2014-10-08 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G09G3/20; G09G3/36 【发明人】朱明皓; 张宇翔; 张耀辉 【主权项内容】一种空间光调制器的驱动电路结构,其特征在于:包括由下而上依次布置的一块片选芯片(1)、多块数据寄存及数模转换芯片(2)和一块驱动芯片(3),所述数据寄存及数模转换芯片(2)内集成有多个间隔分布的数模转换器(21),每个数模转换器(21)附近均布置有与之紧邻的数据存储单元(22),且每个数模转换器(21)与驱动芯片(3)之间、以及每个数据存储单元(22)与所述片选芯片(1)之间均通过穿透硅通孔(4)电性连接,所述数据存储单元(22)与所述片选芯片(1)之间电性连接的穿透硅通孔(4)与片选芯片(1)的连接端连有输入端口(5),且所述输入端口(5)位于所述驱动电路结构的底部。 【当前权利人】中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 【当前专利权人地址】江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 【统一社会信用代码】12100000717826387T 【引证次数】7.0 【自引次数】1.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】2
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