【摘要】本发明提供了一种降低半导体晶片表面电弧缺陷的方法，该方法至少包括：刻蚀该半导体晶片元件，以形成通孔；在所述半导体晶片以及通孔中形成导电层；通过使用研浆的化学机械研磨法研磨所述导电层；采用去离子水对所述半导体进行清洗。通过去离子水对C
【摘要】 本发明公开了一种桥架成形装置，包括支架，在所述支架上方设置有两个平行的侧支架，所述侧支架的截面为L形，在所述两个平行的侧支架相对的侧壁上交替设置有成形装置，所述成形装置包括两个相互垂直的滚轮和一个倾斜的折角压轮，所述折角压轮为圆形，所述折角压轮的圆形边缘的厚度小于其中心部分的厚度，所述折角压轮的一侧边缘指向所述两个相互垂直的滚轮形成的直角。本发明的桥架成形装置，加工宽度可调，而且一步成形，节约成本，提高效率。。： 【专利类型】发明申请 【申请人】江苏天成电气设备有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】225700 江苏省泰州市兴化市张郭镇刘纪村刘东区城 【申请人地区】中国 【申请人城市】泰州市 【申请人区县】兴化市 【申请号】CN201210511916.4 【申请日】2012-12-04 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103846318A 【公开公告日】2014-06-11 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】B21D5/00 【发明人】何忠华 【主权项内容】 一种桥架成形装置，其特征在于：包括支架(1)，在所述支架(1)上方设置有两个平行的侧支架(2)，所述侧支架(2)的截面为L形，在所述两个平行的侧支架(2)相对的侧壁上交替设置有成形装置(3)，所述成形装置(3)包括两个相互垂直的滚轮(4)和一个倾斜的折角压轮(5)，所述折角压轮(5)为圆形，所述折角压轮(5)的圆形边缘的厚度小于其中心部分的厚度，所述折角压轮(5)的一侧边缘指向所述两个相互垂直的滚轮(4)形成的直角。 【当前权利人】江苏天成电气设备有限公司 【当前专利权人地址】江苏省泰州市兴化市张郭镇刘纪村刘东区城 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族被引证次数】4
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