【摘要】本发明涉及一种用于三维集成混合键合结构及其键合方法，其包括第一衬底；所述第一衬底上设有与第一衬底电连接的键合互连金属，所述键合互连金属对应与第一衬底相连的另一端部内陷形成凹腔；第一衬底上在键合互连金属的周围覆盖有第一介电粘附层，所述
【摘要】 本发明提供一种场终止绝缘栅双极型晶体管的制备方法，属于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术领域。该制备方法中，包括步骤：提供已经基本形成场终止绝缘栅双极型晶体管的正面结构的晶片；在所述晶片的正面结构上沉积正面保护层；将所述晶片翻转使其背面朝向正面注入机，并使用该正面注入机对所述晶片的背面的场终止层进行离子注入掺杂以形成集电极层；以及去除所述正面保护层。该制备方法中可以使用正面注入机实现集电极层的离子注入，使其容易与前道工艺线兼容，并且FS-IGBT的正面结构得到有效保护，FS-IGBT的良率和可靠性高。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 中国无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210250474.2 【申请日】2012-07-19 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103578981A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103578981B 【授权公告日】2016-09-07 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01L21/331 【发明人】张硕; 芮强; 王根毅; 邓小社 【主权项内容】一种场终止绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供已经基本形成场终止绝缘栅双极型晶体管的正面结构的晶片；在所述晶片的正面结构上沉积正面保护层；将所述晶片翻转使其背面朝向正面注入机，并使用该正面注入机对所述晶片的背面的场终止层进行离子注入掺杂以形成集电极层；以及去除所述正面保护层。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】1
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