【摘要】 本发明公布了一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器，其特征在于：利用半导体外延生长技术在半导体衬底上生长多层的半导体结构，形成双量子阱三能级的结构，以入射激光进行激发，形成可以稳定工作的激光器。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在室温或准室温的条件下工作，工作温度接近300K，无需制冷设备或者仅需要半导体热电制冷器进行制冷。相比之下，常规的太赫兹激光器(如量子级联激光器)通常工作在低温状态，需要安置在杜瓦或循环制冷机中。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在30到40微米波段产生太赫兹激光。 【专利类型】发明授权 【申请人】上海交通大学无锡研究院 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】214000 江苏省无锡市新区大学科技园清源路立业楼C区 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210397689.7 【申请日】2012-10-18 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102957092B 【公开公告日】2014-10-15 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102957092B 【授权公告日】2014-10-15 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01S5/343; H01S5/04 【发明人】刘惠春; 沈文忠; 傅爱兵; 郝明瑞; 杨耀 【主权项内容】一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器，其特征在于：利用半导体外延生长技术在半导体衬底上生长多层的半导体结构，形成双量子阱三能级的结构，以入射激光进行激发，形成可以稳定工作的激光器；所述激光器是以非极化GaN为衬底，沿着m平面或者α平面逐层生长：未掺杂的GaN缓冲层; n型掺杂的GaN下电极层；先势垒后势阱交替生长多个在周期形成的多量子阱层；AlxGa1-xN势垒层；n型掺杂的GaN上电极层；其中，上下电极层的作用在于生长好器件后，对器件进行电流电压曲线测量，确认器件的有效性；同时也有对器件中的相应量子阱能级位置进行调制作用。 【当前权利人】上海交通大学无锡研究院 【当前专利权人地址】江苏省无锡市新区大学科技园清源路立业楼C区 【统一社会信用代码】123202004663729226 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】1

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