【摘要】本发明涉及一种带有绳子的绕结织物短袖，包括短袖本体(1)，所述短袖本体(1)的下围设有一圈绳子(2)，所述绳子(2)为麻绳拧合而成，绳子(2)的两端设有装饰用的丝带。所述短袖本体(1)由织物制成，所述织物包括经纱及纬纱两组纱线，所述
【摘要】 本发明公开一种硅的刻蚀方法，用以在硅衬底上刻蚀不同宽度尺寸的硅槽，包括：S1、提供硅衬底；S2、在硅衬底上沉积掩膜层；S3、对掩膜层进行腐蚀，形成不同宽度尺寸的窗口，其中至少在非最小宽度尺寸窗口的底部，预留一定厚度的掩膜层，以满足S4步骤后，所有硅槽的深度相同；S4、对位于窗口底部的掩膜层和硅衬底进行腐蚀，形成硅槽。本发明通过在非最小宽度尺寸窗口的底部，预留一定厚度的掩膜层，让该一定厚度的掩膜层先保护住较大的窗口，让小的窗口先刻，以实现最终获得的硅槽的深度相同。。： 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210346875.8 【申请日】2012-09-18 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103663357A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103663357B 【授权公告日】2017-07-07 【授权公告年份】2017.0 【IPC分类号】B81C1/00; C23F1/12; C23F1/02 【发明人】苏佳乐 【主权项内容】一种硅的刻蚀方法，用以在硅衬底上刻蚀不同宽度尺寸的硅槽，其特征在于，包括：S1、提供硅衬底；S2、在硅衬底上沉积掩膜层；S3、对掩膜层进行腐蚀，形成不同宽度尺寸的窗口，其中至少在非最小宽度尺寸窗口的底部，预留一定厚度的掩膜层，以满足S4步骤后，所有硅槽的深度相同；S4、对位于窗口底部的掩膜层和硅衬底进行腐蚀，形成硅槽。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J 【引证次数】7.0 【被引证次数】4 【自引次数】1.0 【他引次数】6.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】21.0 【家族被引证次数】8
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