【摘要】本发明涉及一种可拆装领子的织物透气性好短袖，包括短袖本体(1)，短袖本体(1)的领口处设有可拆装的领子(2)，领子(2)和短袖本体(1)为按扣连接或拉链连接，所述领子(2)的面料为全棉面料或者丝质面料，所述短袖本体(1)由织物制成，
【摘要】 本发明提供一种平面型VDMOS晶体管及其制备方法，属于VDMOS晶体管器件领域。该平面型VDMOS晶体管包括衬底、在衬底上形成的外延层、在外延层中形成的体区和源区、在外延层上形成的栅介质层以及栅电极；其中，所述栅介质层所对应的部分所述外延层的上表面形成有一条或多条基本平行于该平面型VDMOS晶体管的沟道方向的凹槽，所述凹槽之上所对应的部分所述栅介质层相应地下凹以形成凹凸状栅介质层。本发明的平面型VDMOS晶体管具有导通电阻小、在开关应用时损耗小且无电磁干扰的特点。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润华晶微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 中国无锡市国家高新技术产业开发区信息产业科技园C座2楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210345638.X 【申请日】2012-09-18 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103681843A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103681843B 【授权公告日】2017-07-14 【授权公告年份】2017.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/423; H01L29/06; H01L21/336 【发明人】唐红祥; 张新; 彭强 【主权项内容】一种平面型VDMOS晶体管，包括衬底、在衬底上形成的外延层、在外延层中形成的体区和源区、在外延层上形成的栅介质层以及栅电极，其特征在于，所述栅介质层所对应的部分所述外延层的上表面形成有一条或多条基本平行于该平面型VDMOS晶体管的沟道方向的凹槽，所述凹槽之上所对应的部分所述栅介质层相应地下凹以形成凹凸状栅介质层。 【当前权利人】无锡华润华晶微电子有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区信息产业科技园C座2楼 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台投资、非独资) 【统一社会信用代码】913202147140943367 【引证次数】6.0 【被引证次数】3 【他引次数】6.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】3
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