【摘要】 本发明涉及一种用于红外焦平面阵列器件的微结构及其制造方法，其包括第一衬底、第二衬底及第三衬底；第一衬底上覆盖有钝化介质层，钝化介质层下方内设有CMOS读取电路，CMOS读取电路包括最外层的反光板，钝化介质层内设有共振槽；钝化介质层上设有第一低温键合体及第二低温键合体；第二衬底内设有空腔，在任意空腔的下方均设有红外敏感区及热隔离悬臂梁；红外敏感区包括红外吸收层及硅岛，硅岛内设有若干串联分布的二极管；第二衬底上设有第三低温键合体及第四低温键合体，第三低温键合体通过连接线与第二衬底相连，第一衬底与第二衬底、第三衬底通过真空键合相连连接。本发明工艺步骤简单，与常规IC工艺兼容，检测精度高，制造方便。 【专利类型】发明授权 【申请人】江苏物联网研究发展中心 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210088833.9 【申请日】2012-03-29 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102593133B 【公开公告日】2014-09-24 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102593133B 【授权公告日】2014-09-24 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L27/144; G01J5/20 【发明人】欧文 【主权项内容】一种用于红外焦平面阵列器件的微结构，其特征是：包括第一衬底(101)及位于所述第一衬底(101)上方的第二衬底(201)，所述第二衬底(201)的上方设有第三衬底(301)；所述第一衬底(101)的表面上覆盖有钝化介质层(102)，所述钝化介质层(102)下方的第一衬底(101)内设有CMOS读取电路，所述CMOS读取电路包括最外层的反光板(104)，刻蚀反光板(104)上方相应的钝化介质层(102)以形成位于钝化介质层(102)内的共振槽；在共振槽外圈的钝化介质层(102)上设有第一低温键合体(105)及位于第一低温键合体(105)外圈的第二低温键合体(106)；在第二衬底(201)内设有若干贯通第二衬底(201)的空腔(212)，第二衬底(201)内对应空腔(212)的外侧设有阻挡槽，所述阻挡槽的内壁及底部覆盖有释放腐蚀阻挡层(209)，并在阻挡槽内填充热沉(210)；在任意空腔(212)的下方均设有红外敏感区(205)及位于红外敏感区(205)外侧的热隔离悬臂梁(204)；红外敏感区(205)包括红外吸收层(214)及硅岛(213)，所述硅岛(213)通过绝缘介质层与红外吸收层(214)相绝缘隔离，硅岛(213)内设有若干串联分布的二极管；第二衬底(201)上设有与第一低温键合体(105)相对应分布的第三低温键合体(207)及与第二低温键合体(106)相对应分布的第四低温键合体(208)，所述第三低温键合体(207)通过连接线(203)与第二衬底(201)相连，连接线(203)位于红外敏感区(205)及热隔离悬臂梁(204)的外圈，且连接线(203)与硅岛(213)内的二极管电连接；第三低温键合体(207)与第四低温键合体(208)间设有吸气剂(206)；第一衬底(101)与第二衬底(201)通过第一低温键合体(105)与第三低温键合体(207)对应真空焊接以及第二低温键合体(106)与第四低温键合体(208)对应真空焊接后连接成一体，并使得红外吸收层(214)与反光板(104)间的共振槽形成共振腔；第二衬底(201)对应邻近第三衬底(301)的表面设有第五低温键合体(211)，第三衬底(301)上设有与第五低温键合体(211)相对应分布的第六低温键合体(302)，第二衬底(201)与第三衬底(301)通过第五低温键合体(211)及第六低温键合体(302)真空焊接后连接成一体。 【当前权利人】中科芯未来微电子科技成都有限公司 【当前专利权人地址】四川省成都市双流区东升街道成都芯谷产业园区(1号楼)集中区内 【统一社会信用代码】1232020046637256X7 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】20

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