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晶闸管及晶闸管封装件专利

时间:2026-09-25    作者:admin 点击: ( 2 ) 次

【摘要】 本发明提供一种晶闸管及晶闸管封装件。本发明的PNPN型晶闸管包括:由P型、N型、P型及N型半导体层构成的层叠结构,且在与作为阴极的N型半导体层接触的P型半导体层中相对于该作为阴极的N型半导体层的区域具有第一开口;本发明的无需驱动电流的晶闸管包括:晶闸管本体及受控开关单元;受控开关单元连接PNPN型的晶闸管本体的门极及阴极、或连接NPNP型的晶闸管本体的门极及阳极;本发明的晶闸管封装件包括:形成在半导体衬底表面的无需驱动电流的晶闸管;封装所形成的无需驱动电流的晶闸管的壳体及外露于壳体且与无需驱动电流的晶闸管连接的门极、阴极及阳极引脚。本发明的优点包括:晶闸管能在门极无注入电流时正向导通, 并能通过开关单元关断晶闸管。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡维赛半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区长江路21-1号创源大厦1001室 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210286393.8 【申请日】2012-08-13 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103594490A 【公开公告日】2014-02-19 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L29/06; H01L29/744; H03K17/56 【发明人】黄勤 【主权项内容】一种PNPN型晶闸管,其特征在于,所PNPN型晶闸管至少包括:由P型、N型、P型及N型半导体层构成的层叠结构,其中,在与作为阴极的N型半导体层接触的P型半导体层中相对于该作为阴极的N型半导体层的区域具有第一开口。 【当前权利人】无锡维赛半导体有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡国家高新技术产业开发区长江路21-1号创源大厦1001室 【专利权人类型】有限责任公司(中外合资) 【统一社会信用代码】913202145537777413 【引证次数】7.0 【被引证次数】5 【他引次数】7.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】5

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