【摘要】本发明涉及一种实心空穴凸筋沟槽两侧带锯齿面平直密封条,主要用于船舶货舱盖的密封。包括密封条本体(1),密封条本体(1)呈平直条状,密封条本体(1)材料采用三元乙丙胶,密封条本体(1)上部呈圆形,下部呈方形,在所述密封条本体(1)内沿
【摘要】 本发明公开了一种厚多晶硅的制备方法,包括:在硅片的正表面上淀积一层薄的多晶硅层作为种子层;以及在所述种子层上,通过使用外延气体,外延生长出一层厚的多晶硅层。通过使用本发明能够高效地获得厚多晶硅,同时又能够解决反应炉内副产品的堆积带来的问题。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210197858.2 【申请日】2012-06-15 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103515200A 【公开公告日】2014-01-15 【公开公告年份】2014 【IPC分类号】H01L21/205 【发明人】荆二荣; 周国平; 夏长奉; 苏巍 【主权项内容】一种厚多晶硅的制备方法,包括:在硅片的正表面上淀积一层薄的多晶硅层作为种子层;以及在所述种子层上,通过使用外延气体,外延生长出一层厚的多晶硅层。 【当前权利人】无锡华润上华半导体有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J 【引证次数】5.0 【被引证次数】1 【他引次数】5.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】1
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