【摘要】 本发明公开了一种缺陷密度计算方法，包括以下步骤：S1、计算晶圆生产线上芯片的产品良率Wafer Yield；S2、计算所述产品单个芯片的面积DieArea；S3、根据器件测试项目系数Device Test Bin、光刻系数Litho Coefficient和工艺技术系数Technology Coefficient计算所述产品的芯片制造过程的复杂度系数N；S4、根据芯片的产品良率Wafer Yield、面积Die Area及复杂度系数N计算缺陷密度D0。本发明通过器件测试项目系数B、光刻系数L和工艺技术系数T计算复杂度系数N，通过修正后的N计算缺陷密度大小，减小了缺陷密度与实际晶圆制程能力的误差，同时该计算方法及工艺流程不会产生额外的成本。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210277071.7 【申请日】2012-08-06 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103579035A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103579035B 【授权公告日】2016-06-15 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01L21/66 【发明人】陈亚威 【主权项内容】1.一种缺陷密度计算方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、计算晶圆生产线上芯片的产品良率Wafer Yield；S2、计算所述产品单个芯片的面积Die Area；S3、根据器件测试项目系数Device Test Bin、光刻系数Litho Coefficient和工艺技术系数Technology Coefficient计算所述产品的芯片制造过程的复杂度系数N；S4、根据芯片的产品良率Wafer Yield、面积Die Area及复杂度系数N计算缺陷密度D0。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台法人独资) 【统一社会信用代码】91320214739444443B 【引证次数】3.0 【被引证次数】6 【他引次数】3.0 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】6

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