【摘要】本发明涉及一种带有绳子的织物透气性好短袖，包括短袖本体(1)，所述短袖本体(1)的下围设有一圈绳子(2)，所述绳子(2)为麻绳拧合而成，绳子(2)的两端设有装饰用的丝带。所述短袖本体(1)由织物制成，所述织物由经线纤维丝与纬线纤维丝
【摘要】 本发明公开一种氮化硅薄膜的制造方法，包括在350℃以下的环境温度中通入硅烷、氨气以及氮气，以生成并沉积形成氮化硅薄膜的步骤，其中通入硅烷的速率为300~350sccm、通入氨气的速率为1000sccm、通入氮气的速率为1000sccm；高频源功率为0.15~0.30KW，低频源功率为0.15~0.30KW；反应压力为2.3~2.6Torr；反应持续时间为4~6s。上述氮化硅薄膜的制造方法给出了低温条件下生成低应力氮化硅薄膜的较佳参数范围以及优选的参数，实现了低温条件下的低应力氮化硅薄膜的制造，能够更好地满足需要低应力氮化硅薄膜的场合。 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210266307.7 【申请日】2012-07-30 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103578937A 【公开公告日】2014-02-12 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103578937B 【授权公告日】2016-07-06 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H01L21/205; H01L21/318 【发明人】李展信 【主权项内容】一种氮化硅薄膜的制造方法，包括在350℃以下的环境温度中通入硅烷、氨气和稀释气体，以生成并沉积形成氮化硅薄膜的步骤，其特征在于，通入硅烷的速率为300~350sccm、通入氨气的速率为1000sccm；高频源功率为0.15~0.30KW，低频源功率为0.15~0.30KW；反应压力为2.3~2.6Torr；反应持续时间为4~6s。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J 【引证次数】3.0 【被引证次数】5 【他引次数】3.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】11
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