【摘要】 本发明涉及一种内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法，涉及晶体振荡器技术领域。利用该方法能够对未知的晶体振荡器温度频率特性曲线进行拟合，根据获得的特性曲线计算全温度范围内的晶体振荡器补偿数据；而后将选定的多个温度点的补偿数据写入所述的晶体振荡器内，进行频率精度检测，实现基于温度频率特性曲线实现两点校准或单点校准，从而大幅度简化校准的测试流程，提高测试效率，进而在全温度范围(-40℃~85℃)内可实现晶体振荡器精确校准和补偿，补偿后的计时精度可达±2.0ppm。且本发明的内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法，其应用方式简便，成本低廉，应用范围也较为广泛。 数据由整理 【专利类型】发明申请 【申请人】无锡华润矽科微电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214000 江苏省无锡市菱湖大道180号-22 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210336327.7 【申请日】2012-09-12 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103684255A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103684255B 【授权公告日】2016-06-29 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】H03B5/04 【发明人】陈富涛; 胡燕; 邓玉清; 张明丰; 严淼; 孙丽军 【主权项内容】一种内置晶体的温度补偿晶体振荡器的补偿校准判断控制方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：(1)初始化所述的晶体振荡器的内部负载电容；(2)确定所述的晶体振荡器的频率精度温度特性曲线；(3)根据所述的频率精度温度特性曲线计算全温度范围内的晶体振荡器补偿数据；(4)将选定的多个温度点的补偿数据写入所述的晶体振荡器内；(5)检测所述的多个温度点的频率精度，并判断是否满足预设的精度要求，若是，则进入步骤(8)，若否，则进入步骤(6)；(6)重新进行所述的步骤(1)至步骤(4)，并检测多个温度点的频率精度，判断是否满足预设的精度要求，若是，则进入步骤(8)，若否，则进入步骤(7)；(7)确定所述的晶体振荡器为不良品，结束本方法；(8)确定所述的晶体振荡器为良品，结束本方法。 【当前权利人】华润微集成电路(无锡)有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市无锡太湖国际科技园菱湖大道180号-6 【引证次数】6.0 【被引证次数】24 【他引次数】6.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】22.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】24

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