【摘要】 本发明涉及一种扇出型圆片级芯片封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。它包括芯片(1)、金属微结构(2)、高密度布线层(4)、硅腔体(5)、键合层(6)和焊球凸点(7)，在芯片(1)上通过溅射、光刻、电镀等工艺形成金属微结构(2)，将芯片(1)倒装在高密度布线层(4)上，用光学掩膜、刻蚀等方法在硅腔体(5)上形成下凹的硅腔(511)，所述硅腔体(5)将芯片(1)扣置在硅腔(511)内，所述高密度布线层(4)与硅腔体(5)通过键合层(6)键合，加热使包封料层(52)和键合层(6)固化成形。本发明的封装成本低、扇出(Fanout)结构的支撑强度牢固、封装良率高、适用于薄型结构的扇出型圆片级芯片封装。。 【专利类型】发明授权 【申请人】江阴长电先进封装有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214429 江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区(澄江东路９９号) 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】江阴市 【申请号】CN201210243958.4 【申请日】2012-07-16 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102751204B 【公开公告日】2014-10-15 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102751204B 【授权公告日】2014-10-15 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/56; H01L21/60 【发明人】张黎; 陈栋; 赖志明; 陈锦辉; 徐虹 【主权项内容】一种扇出型圆片级芯片封装方法，其特征在于所述方法包括以下工艺过程：步骤一、准备载体圆片(8)；步骤二、在载体圆片(8)的上表面覆盖介电层(41)，在所述介电层(41)上形成设计的光刻图形开口(411)；步骤三、通过电镀、化学镀或溅射的方式在所述介电层(41)的图形开口(411)及其上表面实现金属电极Ⅰ(421)、单层或多层再布线金属走线(42)和金属电极Ⅱ(422)；步骤四、取带有芯片电极(111)的IC圆片(A1)，在芯片电极(111)上通过溅射、光刻、电镀等工艺实现金属柱(21)和金属柱(21)顶端的金属微凸点(22)，并完成金属微结构(2)阵列排布；步骤五、将上述IC圆片(A1)减薄并切割成单颗的芯片(1)；步骤六、将上述芯片(1)倒装在步骤三的金属电极Ⅰ(421)上，通过回流形成可靠连接；步骤七、对完成倒装的芯片(1)用填充料(3)对金属微结构(2)和金属微结构(2)之间以及金属微结构(2)的外围进行填充，填充满芯片(1)和高密度布线层(4)之间的空间，形成带有芯片(1)的封装体；步骤八、取硅圆片，在硅本体(51)上用光学掩膜、刻蚀等方法完成下凹的硅腔(511)，形成带有硅腔(511)的硅腔体(5)；步骤九、在上述硅本体(51)的上表面覆盖键合层(6)，在硅腔(511)中点上液体包封胶，形成包封料层(52)；步骤十、将步骤七的带有芯片(1)的封装体上下翻转180度与上述带有硅腔(511)的硅腔体(5)键合，挤压包封料层(52)和键合层(6)，加热，使包封料层(52)和键合层(6)固化成形；步骤十一、通过减薄刻蚀的方法去除载体圆片(8)；步骤十二、在上述金属电极Ⅱ(422)上植球回流，形成焊球凸点(7)阵列；步骤十三、对上述重构的圆片进行减薄、切割，形成单颗的扇出型圆片级芯片封装结构。 【当前权利人】江阴长电先进封装有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区(澄江东路９９号) 【专利权人类型】有限责任公司(港澳台投资、非独资) 【统一社会信用代码】91320281753943521E 【引证次数】4.0 【被引证次数】5 【自引次数】1.0 【他引次数】3.0 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】12

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