【摘要】 本发明公开了一种LOCOS多层氧化层的集成制作方法，该方法在下层芯片结构上制作衬垫；在所述衬垫上定义第一种厚度氧化层区域，并在所述第一种厚度氧化层区域开口，进行第一次氧化生长；然后，定义第二种厚度氧化层区域，并开口，进行第二次氧化生长，从而形成不同厚度的氧化层；最后去除衬垫，进行湿法回刻以调整鸟嘴，完成多层氧化层的制作。该LOCOS多层氧化层的集成制作方法采用LOCOS工艺，通过对多层氧化层的工艺进行集成，可以优化多层氧化层厚度比例和湿法回刻，解决了多种厚度的氧化层同时存在时的鸟嘴问题，实现了更低的成本和更短的制作周期。 【专利类型】发明授权 【申请人】无锡华润上华半导体有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 【申请人地区】中国 【申请人城市】无锡市 【申请人区县】滨湖区 【申请号】CN201210075340.1 【申请日】2012-03-21 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102593040B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102593040B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/762 【发明人】吴孝嘉; 罗泽煌; 章舒; 许剑; 何延强; 何敏 【主权项内容】一种LOCOS多层氧化层的集成制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供所需制作多层氧化层的下层芯片结构；步骤二、在所述下层芯片结构上制作衬垫；步骤三、在所述衬垫上利用光刻工艺定义第一种厚度氧化层区域，并利用腐蚀工艺在所述第一种厚度氧化层区域开口；步骤四、在制作有第一种厚度氧化层区域开口的下层芯片结构上进行第一次氧化生长；步骤五、第一次氧化生长后，在所述衬垫上利用光刻工艺定义第二种厚度氧化层区域，并利用腐蚀工艺在所述第二种厚度氧化层区域开口；步骤六、在制作了第二种厚度氧化层区域开口后进行第二次氧化生长，从而形成第一和第二种厚度氧化层；步骤七、去除所述衬垫，进行湿法回刻以调整鸟嘴，完成多层氧化层的制作；其中，用于调整鸟嘴的湿法回刻对氧化层的去除量，需要同时满足：(1)在所述第二种厚度氧化层区域，保证氧化层边缘损伤量未导致击穿电压降低；(2)在所述第一种厚度氧化层区域，保证开启电压无偏高；所述湿法回刻的腐蚀液的配方为浓度49％的HF : H2O＝1 : 15，腐蚀时间为190～210s。 【当前权利人】无锡华润上华科技有限公司 【当前专利权人地址】江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 【专利权人类型】有限责任公司(外商合资) 【统一社会信用代码】91320214714903842J 【引证次数】2.0 【自引次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】7

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