【摘要】 本发明公开了一种基于SOI材料制备中长红外undercut型光波导的方法。在SOI片上的脊波导两侧开有与脊波导平行且等距分布的一排方孔，通过方孔掏去脊波导正下方高损耗的埋氧层，实现中长红外undercut型脊波导结构；或者在SOI片上的脊波导中央刻蚀出狭缝形成slot波导，通过狭缝掏去slot波导正下方高损耗的埋氧层，实现中长红外undercut型slot波导结构。本发明制作的两种波导结构有着很低的传输损耗；其中undercut型slot波导，它的光场主要限制在低折射率的狭缝中，若将在中长红外波段存在特征吸收的化学物质填充在狭缝中，则可构成一个中长红外吸收型传感器。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210568966.6 【申请日】2012-12-25 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103033880B 【公开公告日】2014-07-23 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103033880B 【授权公告日】2014-07-23 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G02B6/136 【发明人】檀亚松; 余辉; 郝寅雷; 李宇波; 杨建义; 江晓清 【主权项内容】一种基于SOI材料制备中长红外undercut型光波导的方法，其特征在于：在SOI片上的脊波导中央刻蚀出狭缝(5)形成slot波导，通过狭缝(5)掏去slot波导正下方高损耗的埋氧层(2)，实现中长红外undercut型slot波导结构；所述的在SOI片上脊波导中央刻蚀出的狭缝(5)是采用二次氧化和二次光刻在脊波导脊的中央开出狭缝(5)，将狭缝处深刻蚀到埋氧层(2)，利用氢氟酸溶液通过狭缝掏去波导正下方高损耗的埋氧层(2)，实现这种波导结构；波导的正下方为空气(3)，使得波导等效于悬浮在空气中的薄膜slot波导。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【引证次数】1.0 【被引证次数】1 【他引次数】1.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】12

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