【摘要】 一种场效应细胞培养皿系统由培养皿本体和测量电路组成，培养皿本体由皿底座、皿壁、传感阵列、连接线、参考电极构成，测量电路由寻址开关、寻址控制器、电源、检流计构成。传感阵列包含了700′700个场效应传感器，场效应传感器的工作原理是耗尽型p沟道场效应细胞膜电位传感为场效应漏-源电流，细胞膜电位可以控制传感器p沟道电阻，从而控制漏-源电流。该细胞培养皿有益之处在于：(1)可以在细胞无应激的非正常生理状态下检测细胞膜电位；(2)可以检测电极性有正有负的细胞膜电位；(3)传感阵列寻址实现大区域细胞膜电位的传感，使本发明的细胞培养皿与传统细胞培养皿使用无差异，可在检测细胞膜电位中的应用。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210282543.8 【申请日】2012-08-09 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103289896B 【公开公告日】2014-05-07 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103289896B 【授权公告日】2014-05-07 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C12M3/00; C12M1/36; C12M1/34; G01R19/00 【发明人】包家立; 李宇波; 周圣直 【主权项内容】一种场效应细胞培养皿系统，由培养皿本体(1)和测量电路(2)构成，培养皿本体(1)的输出与测量电路(2)的输入连接，培养皿本体(1)由皿底座(3)和皿壁(4)组成，构成一个U型容积体，皿底座(3)上设有传感器阵列(5)、连接线(6)和参考电极(7)，传感器阵列(5)包含700700个场效应传感器(8)，每个场效应传感器(8)之间相互独立，参考电极(7)暴露在U型容积体内侧的皿底座(3)表面，并用连接线(6)连到皿底座(3)边缘，连接线(6)一头与传感器阵列(5)相连接，另一头连接在皿底座(3)边缘；测量电路(2)由电源(13)、检流计(14)、参考电极(7)、寻址开关(20)和寻址控制器(21)组成，寻址开关(20)的GND端与皿底座(3)上的参考电极(7)连接，同时，参考电极(7)与场效应传感器(8)的源极(10)连在一起，寻址开关(20)的输入端分别与传感器阵列(5)所对应的场效应传感器(8)漏极(11)连接，输出端和GND端与电源(13)和检流计(14)串联连接，检流计(14)由检测电阻(22)和放大器(23)组成，并且检测电阻(22)和放大器(23)并联连接；其中所述的场效应传感器(8)由N型硅半导体衬底(9)、源极(10)、漏极(11)、SiO2绝缘层(12)组成，它是在一块N型硅半导体衬底(9)上用光刻扩散形成两个P型半导体区，在N型硅半导体衬底(9)的一侧表面生长一层SiO2绝缘层(12)，另一侧在两个P型半导体区分别放置连接线(6)，并引导到皿底座(3)的边缘。 【当前权利人】杭州场皿科技有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市富阳区银湖街道富闲路9号银湖创新中心6号七层708室 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【引证次数】3.0 【被引证次数】1 【他引次数】3.0 【被自引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】3

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1791578828.html