【摘要】 依据本发明的一种源极驱动控制电路及其控制方法，克服了现有技术中由于辅助绕组的存在而难以集成以及准谐振控制的精确度不高的问题。具体包括箝位电路、谷底电压检测电路和源极电压控制电路，并具有以下优点：由于主功率开关管的开启时刻具有最小的漏源电压，可以减小甚至消除导通电流尖峰，因此这种设计能够提供较低的导通损耗。另外，对于集成电路而言，如现有技术的准谐振控制方法，需要一个单独的引脚来检测漏源电压的谷底。而对本发明而言，通过对源极驱动内部电路信号的检测，就可以精确检测漏源电压的谷底电压，进而精确的实现对主功率开关管的准谐振软开关控制，同时节省了芯片的尺寸，使得芯片结构更加紧凑，并且封装和外围电路的设计也相对简单。 【专利类型】发明授权 【申请人】矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310012 浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210303541.2 【申请日】2012-08-24 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102832792B 【公开公告日】2014-07-16 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102832792B 【授权公告日】2014-07-16 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H02M1/08; H02M1/00 【发明人】邓建; 赵晨; 黄秋凯 【主权项内容】一种源极驱动控制电路，用以实现对主功率管的准谐振驱动，其特征在于，包括箝位电路、谷底电压检测电路和源极电压控制电路；所述箝位电路与所述主功率管的栅极连接以将其栅极电压箝位至第一箝位电压；所述第一箝位电压的数值大于所述主功率管的导通阈值；所述谷底电压检测电路与所述主功率管的栅极和源极相连接，在其漏源电压到达谐振谷底时刻，输出谷底控制信号；所述源极电压控制电路与所述主功率管的源极和所述谷底电压检测电路连接，接收所述谷底控制信号，在谐振谷底时刻控制所述主功率管的源极电压下降至所述主功率管的栅源电压大于其导通阈值，进而实现所述主功率管的准谐振驱动；所述的主功率管为N沟道增强型MOSFET。 【当前权利人】矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91330100673960735E 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】12.0 【家族被引证次数】50

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