【摘要】 本发明提供一种基于SOI衬底的高压金属氧化物半导体管及其制造方法，基于SOI衬底片结合深沟槽的全介质隔离技术，能够彻底消除以往体硅电路中存在的寄生闩锁效应。采用双栅氧工艺流程制备的厚栅氧的高压MOS管，可靠性好，开启电压得到提高。所述高压MOS管的漏区结构中形成漏区结终端扩展技术，所述高压MOS管的源区结构中形成了源区结终端扩展技术，用于调节器件的阈值电压，具有双层作用。源区结终端扩展技术和漏区结终端扩展技术一起组合使用，形成了双区结终端扩展技术，进一步提高器件耐压，从而减小器件尺寸，缩小版图面积，提升芯片的集成度。源区结构在多晶场板上方位置设有铝场板，与源极短接，可以提高器件的耐压。 【专利类型】发明授权 【申请人】杭州士兰微电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310012 浙江省杭州市黄姑山路4号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210086466.9 【申请日】2012-03-28 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102593181B 【公开公告日】2014-12-10 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102593181B 【授权公告日】2014-12-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/78; H01L29/06; H01L21/336 【发明人】俞国强; 张邵华 【主权项内容】一种基于SOI衬底的高压金属氧化物半导体管，包括，SOI衬底；深沟槽，设置于所述SOI衬底中；漏区结构，设置于所述SOI衬底中，所述漏区结构由外向内包括漏区第二类型缓冲区以及浓度依次递增的漏区第一类型阱、漏区第一类型缓冲区和漏区第一类型浓注入区，所述漏区第一类型浓注入区作为漏电极；源区结构，设置于所述SOI衬底中，包括源区第二类型阱、位于源区第二类型阱中的源区第二类型缓冲区、位于所述源区第二类型缓冲区中的源区第一类型阱和相邻设置的源区第一类型浓注入区与源区第二类型浓注入区，源区第一类型阱与所述源区第一类型浓注入区相连，所述源区第一类型浓注入区和源区第二类型浓注入区共同作为源电极；场氧，设置于所述漏区结构上，位于临近源区结构的一侧；栅氧，设置于所述场氧与源区第一类型浓注入区之间；栅极，包括相邻设置的多晶栅和多晶场板，所述多晶栅设置于所述栅氧上，所述多晶场板设置于所述场氧上；层间介质层，设置于所述SOI衬底表面上。 【当前权利人】杭州士兰微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市黄姑山路4号 【专利权人类型】其他股份有限公司(上市) 【统一社会信用代码】91330000253933976Q 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】10

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