【摘要】 本发明涉及一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池结构包括：衬底；P型氧化亚铜纳米线阵列，该P型氧化亚铜纳米线阵列生长在衬底上；绝缘层，该绝缘层沉积在P型氧化亚铜纳米线阵列表面；N型层，该N型层填充在绝缘层外并且形成一层薄膜；N型欧姆电极，该N型欧姆电极制作在N型层上；P型欧姆电极，该P型欧姆电极制作在P型氧化亚铜纳米线阵列层上。本发明中纳米线阵列结构可提高电池的结面积，减小载流子的扩散距离，PIN结构可有效增大耗尽层宽度，大大提高载流子的分离和收集效率，从而提高太阳能电池的能量转换效率。本发明采用的原料丰富、廉价、无污染，采用的制备方法有电化学沉积法、磁控溅射法及电子束蒸发法，都可以大规模应用于工业生产中，有广阔的发展前景。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210007730.5 【申请日】2012-01-01 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102569480B 【公开公告日】2014-12-31 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102569480B 【授权公告日】2014-12-31 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L31/075; H01L31/0296; H01L31/0352; H01L31/18; C30B30/02; C30B29/16; C30B29/62; C30B23/02 【发明人】朱丽萍; 杨美佳; 郭艳敏 【主权项内容】一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池，其特征在于，包括如下结构：衬底(1)；所述的衬底(1)为沉积有透明导电薄膜ITO或FTO的玻璃衬底；生长在衬底(1)上的P型氧化亚铜纳米线阵列(2)；沉积在P型氧化亚铜纳米线阵列(2)表面的绝缘层(3)；填充于绝缘层(3)外的N型层(4)；生长于N型层(4)上的N型欧姆电极(5)；生长在P型氧化亚铜纳米线阵列(2)上的P型欧姆电极(6)。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】8

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