【摘要】本发明提出一种分离的三维存储器(3D-M)。它含有至少两个分离的芯片:一存储阵列芯片和一周边电路芯片。存储阵列芯片含有多个构建在三维空间中的3D-M阵列;周边电路芯片含有至少一个构建在二维平面上的周边电路组件。3D-M的至少一个周边
【摘要】 本发明涉及一种磷酸铁锂单晶纳米棒的制备方法,其主要特征是以乙二醇和水构成溶剂热反应所需要的混合溶剂,设计混合溶剂中乙二醇和水的体积比例为3 : 1~1 : 3,并引入聚乙二醇,影响晶核的形成和晶体生长,实现磷酸铁锂单晶纳米棒的溶剂热合成。首先将抗氧化剂抗坏血酸充分溶解于水和乙二醇的混合溶剂中,再依次溶入磷酸和六合硫酸亚铁。然后再将溶有氢氧化锂的水、乙二醇溶液滴加到前面的含有磷酸、硫和硫酸亚铁和抗坏血酸的溶液中。再引入适量聚乙二醇,充分混合后,密闭于反应釜系统中,于160~240℃的高温高压下,进行溶剂热反应得到磷酸铁锂单晶纳米棒。本发明产品质量稳定,纯度高,颗粒分散性好,有利于锂离子扩散,提高锂离子电池的电化学性能,且制备工艺过程简单,易于控制,无污染,成本低,易于规模化生产。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】西湖区 【申请号】CN201210331755.0 【申请日】2012-09-10 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102838102B 【公开公告日】2014-11-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102838102B 【授权公告日】2014-11-26 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01M4/58; C01B25/45; B82Y30/00 【发明人】徐刚; 陶志鸿; 李峰; 任召辉; 刘涌; 李翔; 沈鸽; 韩高荣 【主权项内容】1.一种磷酸铁锂单晶纳米棒的制备方法,其特征在于包括以下步骤:1)将乙二醇和去离子水按体积比3 : 1~1 : 3混合,得到乙二醇和水的混合溶剂;2)将抗坏血酸溶于步骤1)的乙二醇和水的混合溶剂中,搅拌至充分溶解,得到抗坏血酸溶液;3)按P和Fe的摩尔比为1 : 1,计量称取磷酸和六水合硫酸亚铁,并将磷酸和六水合硫酸亚铁溶于步骤2)所制备的抗坏血酸溶液中,抗坏血酸质量与所制备的目标磷酸铁锂质量百分比为10~30%,磷酸和六水合硫酸亚铁的浓度均为0.05~0.5mol/L,充分搅拌,得到含有磷酸、硫酸亚铁和抗坏血酸的溶液;4)依据步骤3)称取的磷酸的量,按Li和P的摩尔比为3 : 1,计量称取氢氧化锂,并将氢氧化锂溶于步骤1)的乙二醇和水的混合溶剂中,使氢氧化锂的浓度为0.15~1.5mol/L,充分搅拌,得到氢氧化锂溶液;5)搅拌的状态下,将步骤4)的氢氧化锂溶液滴加到步骤3)所制备的含有磷酸、硫酸亚铁和抗坏血酸的溶液中,形成含有沉淀的悬浮液;6)搅拌下,将聚乙二醇加到步骤5)的悬浮液中,聚乙二醇质量与所制备的目标磷酸铁锂质量百分比为10~100%;然后转移到高压反应釜中,用步骤1)所制备的混合溶剂调节,使其体积占反应釜内胆容积的2/3~4/5,继续搅拌至少5分钟,密闭,在160~240℃下保温4~36小时后,降至室温,取出反应产物,过滤,依次用去离子水、无水乙醇或丙酮清洗,40℃~100℃温度下烘干,得到磷酸铁锂单晶纳米棒,磷酸铁锂单晶纳米棒的径向尺寸为50-200纳米,长度为0.5-10微米。 【当前权利人】浙江大学 【当前专利权人地址】浙江省杭州市西湖区浙大路38号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000470095016Q 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】16
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