【摘要】 本发明公开了一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管，传统绝缘栅双极晶体管的背P+发射区完全覆盖器件背面，本发明的绝缘栅双极晶体管通过沟槽将器件背面部分或全部区域设置为多晶P+发射区，以此调节背P+发射区向N型基区注入空穴的效率，提高器件高频特性的应用范围。本发明还提供了一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管的制备方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】朱江 【申请人类型】个人 【申请人地址】310018 浙江省杭州市下沙三号大街裕园公寓1号603室 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210320248.7 【申请日】2012-09-02 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103681813A 【公开公告日】2014-03-26 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103681813B 【授权公告日】2018-07-24 【授权公告年份】2018.0 【IPC分类号】H01L29/739; H01L29/06; H01L21/331 【发明人】朱江 【主权项内容】一种背沟槽结构绝缘栅双极晶体管，其特征在于：包括：N型基区，由N+缓冲层和N-基区叠加组成；P型基区、N+集电区、栅氧化层和栅极介质，位于N型基区上方；背沟槽多晶P+发射区，为多个沟槽结构，位于N型基区下方，P型多晶半导体材料临靠沟槽内壁，同时背沟槽内填充电极金属。。 【当前权利人】北海惠科半导体科技有限公司 【当前专利权人地址】广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司16幢三楼301室 【引证次数】5.0 【被引证次数】1 【他引次数】5.0 【被自引次数】1.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】1

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