【摘要】 本发明提供一种Bipolar低压工艺中耐高压器件及其制造方法，通过在Bipolar低压工艺中耐高压器件中，在环绕所述集电区的上隔离区上形成掺杂浓度低的轻掺杂区，所述地极引线的宽度大于所述轻掺杂区的宽度，所述轻掺杂区朝向所述集电区的一侧超出所述上隔离区一定宽度，所述地极引线朝向所述集电区的一侧超出所述轻掺杂区一定宽度，从而避免器件在高压工作中大量电荷聚集于上隔离区顶角位置，防止电荷聚集引起的击穿问题，从而提高了器件的性能。此外，所述第一层间介质层上的氮化硅层与含氮化硅薄膜层的钝化层结合，能够有效防止可动离子进入高压器件结构中的强电场区而造成污染，以保证此高压器件的高温高压可靠性。 【专利类型】发明授权 【申请人】杭州士兰集成电路有限公司; 杭州士兰微电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310018 浙江省杭州市杭州(下沙)经济技术开发区东区10号路308号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】上城区 【申请号】CN201210127424.5 【申请日】2012-04-26 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102623491B 【公开公告日】2014-04-16 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102623491B 【授权公告日】2014-04-16 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L29/70; H01L29/06; H01L29/36; H01L21/328 【发明人】李小锋; 韩健; 张佼佼; 王铎 【主权项内容】一种Bipolar低压工艺中耐高压器件，其特征在于，包括：半导体衬底和位于其上的外延层；集电区、发射区和基区，所述集电区、发射区和基区位于所述外延层中，所述发射区位于所述基区中，所述集电区环绕于所述基区外围；埋层，所述埋层位于所述半导体衬底和外延层中，所述集电区与所述埋层相连；上隔离区和下隔离区，所述下隔离区位于所述半导体衬底和外延层相邻处，所述上隔离区位于所述下隔离区上的外延层中，所述下隔离区与上隔离区相连并环绕所述集电区外围；轻掺杂区，所述轻掺杂区位于外延层中的所述上隔离区上方，与所述上隔离区相连；第一互连层，位于所述外延层上，包括第一层间介质层、氮化硅层、第一互连线和地极引线，所述第一层间介质层在所述上隔离区、基区、集电区以及发射区上形成有若干第一接触孔，第一互连线通过第一接触孔与所述基区、集电区以及发射区相连，所述氮化硅层位于所述第一层间介质层上，所述地极引线通过第一接触孔与所述轻掺杂区相连；第二互连层，位于所述第一互连层上，包括第二层间介质层、第二互连线和钝化层，在所述第二层间介质层上形成有若干第二接触孔，所述第二互连线通过第二接触孔与所述第一互连线相连，以实现所述基区、集电区和发射区的电性引出，所述钝化层位于所述第二互连线上；其中，所述轻掺杂区朝向所述集电区的一侧超出所述上隔离区一定宽度，所述地极引线朝向所述集电区的一侧超出所述轻掺杂区一定宽度。 【当前权利人】杭州士兰集成电路有限公司; 杭州士兰微电子股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市杭州(下沙)经济技术开发区东区10号路308号; 浙江省杭州市黄姑山路4号 【专利权人类型】其他有限责任公司; 其他股份有限公司(上市) 【统一社会信用代码】913301017265863549; 91330000253933976Q 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】7

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