【摘要】本发明公开了一种少层石墨烯的制备方法,该方法结合液相插层技术与合微波辐照技术,首先将石墨放入含四烷基取代季胺阳离子与OH-的溶液中进行超声处理,使四烷基取代季胺阳离子插入到石墨层间形成插层,引起石墨层间距增大;然后将处理后的石墨进行
【摘要】 本发明公开了一种考虑污秽折算系数的自然积污绝缘子污闪特性研究方法。通常采用的方法是,对于同一基铁塔上取到的带电绝缘子串,选取部分绝缘子进行污秽度测试,其余绝缘子进行污闪电压试验,在此基础上进行数据分析,这种方法存在一定的局限性。本发明的特征在于,将取自同一基铁塔的自然积污绝缘子分成两部分,一部分用于表面等值盐密和灰密测试分析,另一部分用于污闪试验;考虑到污闪过程中绝缘子表面部分污秽的流失,对污闪试验后绝缘子的污秽度测试数据进行修正,在此基础上,对污闪电压、等值盐密、整片灰密、上下表面等值盐密比数据进行回归分析。本发明能够更为有效的得到自然积污绝缘子串污闪电压与绝缘子表面污秽度之间的函数关系。 【专利类型】发明授权 【申请人】浙江省电力公司电力科学研究院; 国家电网公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】310014 浙江省杭州市下城区朝晖八区华电弄1号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】临安区 【申请号】CN201210194253.8 【申请日】2012-06-13 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102707209B 【公开公告日】2014-07-30 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102707209B 【授权公告日】2014-07-30 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G01R31/12 【发明人】王少华; 胡文堂; 刘黎; 梅冰笑; 罗盛; 董建洋 【主权项内容】考虑污秽折算系数的自然积污绝缘子污闪特性研究方法,其特征在于,将取自同一基铁塔的自然积污绝缘子分成两部分,一部分用于表面等值盐密和灰密测试分析,另一部分用于污闪试验;考虑到污闪过程中绝缘子表面部分污秽的流失,对污闪试验后绝缘子的污秽度测试数据进行修正,在此基础上,对污闪电压、等值盐密、整片灰密、上下表面等值盐密比数据进行回归分析,得到自然积污绝缘子表面污秽度对污闪电压的影响规律。 【当前权利人】浙江省电力公司电力科学研究院; 国家电网公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市朝晖八区华电弄1号; 北京市西城区长安街86号 【专利权人类型】国有企业 【统一社会信用代码】9111000071093123XX 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】14
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