【摘要】本发明公开了一种高含量橄榄苦苷提取物的制备方法，其目的在于克服现有制备方法存在的橄榄苦苷提取物中橄榄苦苷含量不高的问题。本发明在获得粗提液后，先经大孔吸附树脂吸附分离，再加碱性溶液溶解、萃取后经硅胶或氧化铝柱层析分离，最后干燥得高含
【摘要】 -官网 。本发明提供一种超声喷印法制备三碘化铯锡薄膜的方法，包括以下步骤：S11，配置CsI溶液，所述CsI溶液的浓度为5wt％至50wt％；S12，配置SnCl2溶液，所述SnCl2溶液的浓度为10wt％至80wt％；S13，利用超声喷印系统将所述CsI溶液喷印到基底上；S14，利用超声喷印系统将所述SnCl2溶液喷印到所述基底上；S15，加热所述基底至干燥，在所述基底上形成三碘化铯锡薄膜。本发明超声喷印法制备三碘化铯锡(CsSnI3)薄膜的方法，在玻璃、陶瓷和金属箔等大面积基底上合成薄膜，不需要基于真空手段就能合成CsSnI3薄膜的方法，该合成或沉积方法是基于水基前驱体溶液的超声喷印沉积，可显著降低成本，使这种薄膜作为新的太阳能电池吸收材料将得到广泛的应用。 【专利类型】发明申请 【申请人】浙江尚颉光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】311121 浙江省杭州市余杭区五常街道丰岭路25号 【申请人地区】中国 【申请人城市】杭州市 【申请人区县】余杭区 【申请号】CN201210382798.1 【申请日】2012-10-09 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103706539A 【公开公告日】2014-04-09 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103706539B 【授权公告日】2015-04-29 【授权公告年份】2015.0 【IPC分类号】B05D1/02; B05D1/36; H01L31/032 【发明人】沈凯; 陈琢; 任宇航 【主权项内容】一种超声喷印法制备三碘化铯锡薄膜的方法，其特征在于，包括：S11，配置CsI溶液，所述CsI溶液的浓度为5wt％至50wt％；S12，配置SnCl2溶液，所述SnCl2溶液的浓度为10wt％至80wt％；S13，利用超声喷印系统将所述CsI溶液喷印到基底上；S14，利用超声喷印系统将所述SnCl2溶液喷印到所述基底上；S15，加热所述基底至干燥，在所述基底上形成三碘化铯锡薄膜。 【当前权利人】尚越光电科技股份有限公司 【当前专利权人地址】浙江省杭州市余杭区五常街道余杭塘路1999号尚越绿谷中心1幢603室 【专利权人类型】有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资) 【统一社会信用代码】91330000552868596Q 【引证次数】4.0 【被引证次数】9 【他引次数】4.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】9
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