【摘要】本发明涉及真空采血技术领域，特别是涉及一种插管式防溅真空血沉管。它由抽吸孔、防溅帽、胶塞、凹陷空间、破塞筒、试管、手柄套和推进杆构成。凹陷空间内设有一破塞筒, 破塞筒是一根上下端均开敞的、材质为硬质塑料的圆管，破塞筒的内直径大于取样
【摘要】 本发明涉及热电材料领域，是一种具有黄铜矿结构的CuGaTe2基热电半导体及其制备工艺。其设计要点在于所述CuGaTe2基热电半导体CuGaTe2热电合金中的Cu元素替换为Sb元素，所述Sb元素在所述CuGaTe2半导体中的摩尔分数为0～0.025，Cu元素在所述CuGaTe2热电半导体中的摩尔分数为0.225～0.25。所述CuGaTe2基热电半导体的化学式为Cu1-x GaSbxTe2，其中0＜x≤0.1。本发明采用常规的粉末冶金法制备，工艺简单；采用金属元素Sb等摩尔替换CuGaTe2热电合金中Cu元素，成本较低；材料具有环保特性，无噪音，适合作为一种绿色能源材料使用。 【专利类型】发明授权 【申请人】宁波工程学院 【申请人类型】学校 【申请人地址】315211 浙江省宁波市中官西路 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】镇海区 【申请号】CN201210335154.7 【申请日】2012-09-11 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102887488B 【公开公告日】2014-05-21 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102887488B 【授权公告日】2014-05-21 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】C01B19/00 【发明人】崔教林; 李亚鹏 【主权项内容】一种具有黄铜矿结构的Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体，其特征在于所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的Cu元素等摩尔替换为Sb元素，所述Sb元素在所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的摩尔分数为0～0.025，Cu元素在所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体中的摩尔分数为0.225～0.25，所述Cu-Ga-Sb-Te四元热电半导体的化学式为Cu1-xGaSbxTe2，其中0＜x≤0.1。 【当前权利人】宁波工程学院 【当前专利权人地址】浙江省宁波市中官西路 【统一社会信用代码】12330200419525025W 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】13
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