【摘要】 一种巨电流变体阻尼器极板的修饰处理方法，其特征在于将巨电流变体阻尼器极板表面进行微纳化粗糙化处理。与现有技术相比，本发明的优点在于：通过对电极极板表面微纳化修饰处理技术，提高巨电流变体与极板间的摩擦系数，以获得高阻尼力的巨电流变体极板，大幅提高巨电流变体阻尼器件的阻尼力。。 【专利类型】发明授权 【申请人】北方材料科学与工程研究院有限公司; 中国兵器工业第五二研究所 【申请人类型】企业,科研单位 【申请人地址】315103 浙江省宁波市科技园区凌云路199号 【申请人地区】中国 【申请人城市】宁波市 【申请人区县】鄞州区 【申请号】CN201210191247.7 【申请日】2012-06-07 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102817955B 【公开公告日】2014-09-03 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102817955B 【授权公告日】2014-09-03 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】F16F9/53; C25D11/02 【发明人】谭锁奎; 纪松; 赵红; 董旭峰; 齐民 【主权项内容】一种巨电流变体阻尼器极板的修饰处理方法，其特征在于将电流变体阻尼器极板表面进行微纳化粗糙化处理；所述的微纳化粗糙化处理为纹理沟槽纳化处理、微弧氧化纳化处理或激光刻蚀纳化处理中的至少一种；所述的纹理沟槽纳化处理中沟槽深度为0.5～5微米，沟槽宽度为0.5～10微米；所述的沟槽截面为三角形、梯形、矩形或圆形；所述的微弧氧化纳化处理中微弧氧化处理液包括1.5～3.5g/L的NaOH水溶液为和4～8g/L的Na2SiO3水溶液，加载的电流密度为1～3A/m2，处理后的极板表面粗糙度为Ra0.5～Ra1.5；所述的激光刻蚀纳化处理中以流速为5～20m/s的3～8mol/L的NaCl水溶液为电解液，激光功率密度为1～5×107w/cm2，二倍频晶体为KTP，θ＝90°，Φ＝23.5°，处理后极板的表面粗糙度为Ra0.5～Ra1.4。 【当前权利人】北方材料科学与工程研究院有限公司; 中国兵器工业第五二研究所 【当前专利权人地址】浙江省宁波市高新区凌云路199号; 内蒙古自治区包头市青山区呼得木林大街4号 【专利权人类型】有限责任公司(国有独资) 【统一社会信用代码】913302017614572327 【引证次数】6.0 【他引次数】6.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】2

未经允许不得转载：http://www.zhongzhencnc.com/1791389884.html