【摘要】 一种基于SLiM-Cut技术制备超薄硅片的方法，在硅衬底上印上一层厚度为20μm青铜浆层，干燥后放入快速退火炉，加热到720℃之后，保温10秒，然后停火冷却；取出后在硅衬底上青铜层的表面印制厚度为40μm的锌浆层，干燥后放入快速退火炉中，加热到720℃之后，保温10秒，然后停火冷却，使硅衬底表面与青铜层相结合的硅层从硅衬底上剥离；放入化学蚀刻液中，将锌层和青铜层腐蚀溶解，取出剩余的硅层，清洗后晾干，即得到厚度为30-50μm的超薄硅片。本方案退火温度较低，降低了能源消耗；以青铜和锌为丝印层，均为传统的材料，便于进行大规模化生产，利于降低成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】河南科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】471000 河南省洛阳市涧西区西苑路48号 【申请人地区】中国 【申请人城市】洛阳市 【申请人区县】涧西区 【申请号】CN201210188942.8 【申请日】2012-06-11 【申请年份】2012 【公开公告号】CN102683179B 【公开公告日】2014-12-31 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN102683179B 【授权公告日】2014-12-31 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】H01L21/02 【发明人】李国岭; 周锋子; 李立本; 李航; 王丹丹; 李新忠 【主权项内容】1.一种基于SLiM-Cut技术制备超薄硅片的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)、取大小为5×5 cm2的硅片作为衬底；(2)、将硅衬底水平放置，在其上表面通过丝网印刷的方法印上一层厚度为20μm青铜浆层；(3)、然后将印有青铜浆层的硅衬底放置在200℃的条件下，使青铜浆层干燥，形成青铜层；(4)、将附有干燥后青铜层的硅衬底放入快速退火炉中，加热到720 ℃之后，保温10秒，然后停火，风冷冷却；(5)、将步骤(4)冷却后的硅衬底取出，设有青铜层的一面朝上放置，通过丝网印刷的方法在硅衬底上青铜层的表面印制厚度为40μm的锌浆层，然后在200℃的条件下，使锌浆层干燥，形成锌层；(6)、将步骤(5)的硅衬底制备有锌层的一面朝上放入快速退火炉中，加热到720 ℃之后，保温10秒，然后停火，风冷冷却，在冷却过程中利用不同材料热膨胀系数的差异，通过锌层的收缩，使硅衬底表面与青铜层相结合的硅层从硅衬底上剥离；(7)、将锌层、青铜层和附着在青铜层上的硅层一同从硅衬底上剥离，然后放入化学蚀刻液中，将锌层和青铜层腐蚀溶解，取出剩余的硅层，清洗后晾干，即得到厚度为30-50μm的超薄硅片。 【当前权利人】河南科技大学 【当前专利权人地址】河南省洛阳市涧西区西苑路48号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】124100004165265089

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