【摘要】本发明提供了一种新型电池的制备方法,其通过在硅片的正面和背面分别形成正电荷膜层和负电荷膜层而制成晶体硅太阳能电池,所述正电荷膜层通过PECVD镀膜工艺而形成,其中,所述负电荷膜层通过依次进行PECVD镀氮化硅减反射膜、印刷银浆栅、烧
【摘要】 本发明提供了一种新的达沙替尼多晶型药物及其制备方法。本发明的达沙替尼多晶型物Ⅳ的粉末衍射图谱中2θ在11.4±0.1、14.1±0.1、15.5±0.1和18.2±0.1、19.8±0.1处有衍射峰。本发明制备得到的晶型化学稳定性好,纯度高。制备方法工艺条件温和,操作简单,质量稳定可控,收率高,适合产业化生产。 【专利类型】发明申请 【申请人】石药集团中奇制药技术(石家庄)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】050035 河北省石家庄市高新技术产业开发区黄河大道226号 【申请人地区】中国 【申请人城市】石家庄市 【申请人区县】裕华区 【申请号】CN201210370935.X 【申请日】2012-09-29 【申请年份】2012 【公开公告号】CN103709156A 【公开公告日】2014-04-09 【公开公告年份】2014 【授权公告号】CN103709156B 【授权公告日】2016-08-03 【授权公告年份】2016.0 【IPC分类号】C07D417/12; A61K31/506; A61P35/02 【发明人】吴立红; 梁敏; 王悦; 刘亚英; 王宝玮; 陈少华; 古建华; 孙文涛; 王永怀; 李晓芳; 刘磊娜 【主权项内容】一种达沙替尼多晶型物Ⅳ,特征在于,其X射线-粉末衍射图谱中2θ有如下峰:(1)在11.4±0.1、14.1±0.1、15.5±0.1、18.2±0.1、19.8±0.1处有衍射峰,且衍射峰相对强度大于50%;(2)在11.4±0.1、14.1±0.1、15.5±0.1、18.2±0.1、19.8±0.1、23.4±0.1、23.8±0.1、28.2±0.1处有衍射峰,且衍射峰相对强度大于40%;(3)在4.9±0.1、9.5±0.1、11.4±0.1、14.1±0.1、15.5±0.1、18.2±0.1、18.6±0.1、19.3±0.1、19.8±0.1、22.5±0.1、23.4±0.1、23.8±0.1、24.7±0.1、25.3±0.1、26.1±0.1、28.2±0.1、28.8±0.1、35.4±0.1处有衍射峰,且衍射峰相对强度大于20%;(4)在4.9±0.1、9.5±0.1、11.4±0.1、14.1±0.1、14.9±0.1、15.5±0.1、18.2±0.1、18.6±0.1、19.3±0.1、19.8±0.1、20.4±0.1、21.5±0.1、22.5±0.1、23.4±0.1、23.8±0.1、24.7±0.1、25.3±0.1、26.1±0.1、28.2±0.1、28.8±0.1、29.3±0.1、30.4±0.1、31.4±0.1、32.6±0.1、34.2±0.1、34.9±0.1、35.4±0.1、36.8±0.1、39.5±0.1、47.0±0.1处有衍射峰,且衍射峰相对强度大于10%。 【当前权利人】石药集团中奇制药技术(石家庄)有限公司; 石药集团欧意药业有限公司 【当前专利权人地址】河北省石家庄市高新技术产业开发区黄河大道226号; 河北省石家庄市经济技术开发区扬子路88号 【专利权人类型】港、澳、台 【统一社会信用代码】91130100748472374Q 【引证次数】12.0 【被引证次数】4 【他引次数】12.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】12.0 【家族被引证次数】4
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